Add to Quick Collection
All 30 Results
Showing items 1 - 15 of 30.
Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 9. С. 106-112
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description:
Проанализировано влияние облучения протонами, электронами, гамма-лучами и быстрыми нейтронами на параметры InAlN/GaN HEMT-структур. Рассмотрены особенности исходных электронных свойств барьерных слоев
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 1. С. 164-166
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description:
Представлены результаты исследования диффузии Mg в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN синего диапазона длин волн при различных температурах роста слоя p -GaN. Произведена оценка коэф
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 6. С. 142-147
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description:
Проанализированы фазовые диаграммы и результаты исследований свойств твердых растворов полупроводниковых соединений GaN, AlN, InN, полученных с использованием магнетронного напыления, МЛЭ- и МОСГФЭ-те
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 8. С. 73-78
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description:
Проведен анализ экспериментальных данных по исследованию омических контактов на основе однослойных и многослойных металлизаций к GaN и твердым растворам (In, Al, Ga)N. Экспериментально исследованы мет
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 12. С. 178-181
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 7. С. 19-22
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description:
Представлены результаты экспериментальных исследований внутреннего квантового выхода фотолюминесценции светодиодных гетероструктур синего диапазона длин на основе множественных квантовых ями InₓGa₁₋ₓN
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 7. С. 110-113
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 11. С. 121-126
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Анализ экспериментальных данных выявил зависимость высоты барьера металл/n-GaN GaN(0001) от работы выхода металла, как и предсказывает модель, которая учитывает уровень зарядовой нейтральности полупро
... More
Source: Физика твердого тела. 2015. Т. 57, Вып. 9. С. 1693-1697
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 5. С. 53-56
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Представлены результаты исследования температурной зависимости квантового выхода светодиодных
Source: Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49, вып. 10. С. 1351-1354
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 7. С. 48-51
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 3. С. 50-53
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 11. С. 134-137
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Электронная промышленность. 2014. № 1. С. 7-15
Type: статьи в журналах
Date: 2014