Please be patient while the object screen loads.
Электронная библиотека (репозиторий)
Томского государственного университета
English
Русский
Home
Show
All
Show
Quick Collection
Browse ↓
Communities & Collections
By Title
By Creator
By Subject
By Date
Additional Resources
Search History
Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
-
Сделать пожертвование
-
Advanced Search
Add to Quick Collection
Description
Size
Format
BN, AlN, GaN, InN: уровень зарядовой нейтральности, поверхность, границы раздела, легирование
379 KB
Adobe Acrobat PDF
View Details
Download
Title
BN, AlN, GaN, InN: уровень зарядовой нейтральности, поверхность, границы раздела, легирование
Creator
Брудный, Валентин Натанович
Subject
зарядовая нейтральность
собственный уровень зарядовой нейтральности,
дефекты
поверхность
границы раздела
легирование химическими примесями
Date
2016
Relationships
Show Relationship Browser for this Object
collection(s)
Физический факультет
Identifier
koha:001142250
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142250
Type
статьи в журналах
Source
Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 12. С. 178-181
Language
rus
24 Visitors
15 Hits
11 Downloads
Preview
Физический факультет
BN, AlN, GaN, InN: уровень зарядовой нейтральности, поверхность, границы раздела, легирование
^ DIV >