Особенности радиационных изменений электрических свойств INALN/GAN HEMT

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Особенности радиационных изменений электрических свойств INALN/GAN HEMT	508 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.17223/00213411/62/9/106

Title: Особенности радиационных изменений электрических свойств INALN/GAN HEMT
Creator: Брудный, Валентин Натанович
|
Брудный, Павел Александрович
|
Великовский, Леонид Эдуардович
|
Афонин, Антон Геннадьевич
Date: 2019
DOI: 10.17223/00213411/62/9/106
Description: Проанализировано влияние облучения протонами, электронами, гамма-лучами и быстрыми нейтронами на параметры InAlN/GaN HEMT-структур. Рассмотрены особенности исходных электронных свойств барьерных слоев InAlN и AlGaN при изменении их состава, а также изменение этих свойств при воздействии высокоэнергетической радиации с учетом композиционной зависимости энергетического положения уровня зарядовой нейтральности в энергическом спектре барьерных слоев.

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Физический факультет | Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Rights: Resource access is available in the premises of Research Library
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 9. С. 106-112
Language: rus

Created: 07-02-2020

587 Visitors

591 Hits

7 Downloads

Журналы ТГУ Особенности радиационных изменений электрических свойств INALN/GAN HEMT