Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета

Add to Quick Collection   All 3 Results

Showing items 1 - 3 of 3.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Features of radiation changes in electrical properties of InAlN/GaN HEMTs
Authors: Brudnyi, Valentin N. | Brudnyi, P. A. | Velikovskii, L. E. | Afonin, A. G.
Source: Russian physics journal. 2020. Vol. 62, № 9. P. 1656-1662
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: The effect of the proton, electron, gamma - rays, and fast neutron irradiation on the parameters of InAlN/GaN
Add   Fermi level pinning and hydrostatic pressure effect in electron irradiated GaSb
Authors: Brudnyi, Valentin N. | Kamenskaya, I. V. | Brudnyi, P. A.
Source: Semiconductor science and technology. 2020. Vol. 35, № 8. P. 085021 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: The effect of 2 MeV electron bombardment up to total electron dose of 1×1019cm−2 on the
Add   Особенности радиационных изменений электрических свойств INALN/GAN HEMT
Authors: Брудный, Валентин Натанович | Брудный, Павел Александрович | Великовский, Леонид Эдуардович | Афонин, Антон Геннадьевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 9. С. 106-112
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: Проанализировано влияние облучения протонами, электронами, гамма-лучами и быстрыми нейтронами на параметры InAlN/GaN HEMT-структур. Рассмотрены особенности исходных электронных свойств барьерных слоев ... More
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
^