Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Брудный, Валентин Натанович

Add to Quick Collection   All 26 Results

Showing items 1 - 15 of 26.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Особенности радиационных изменений электрических свойств INALN/GAN HEMT
Authors: Брудный, Валентин Натанович | Брудный, Павел Александрович | Великовский, Леонид Эдуардович | Афонин, Антон Геннадьевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 9. С. 106-112
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: Проанализировано влияние облучения протонами, электронами, гамма-лучами и быстрыми нейтронами на параметры InAlN/GaN HEMT-структур. Рассмотрены особенности исходных электронных свойств барьерных слоев ... More
Add   Диффузия магния в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN при реальных температурах роста p-GaN 860-980 °C
Authors: Романов, Иван Сергеевич | Прудаев, Илья Анатольевич | Брудный, Валентин Натанович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 1. С. 164-166
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Представлены результаты исследования диффузии Mg в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN синего диапазона длин волн при различных температурах роста слоя p -GaN. Произведена оценка коэф ... More
Add   Физические свойства твердых растворов InxAl1-xN
Authors: Брудный, Валентин Натанович | Вилисова, Мария Дмитриевна | Великовский, Леонид Эдуардович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 6. С. 142-147
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Проанализированы фазовые диаграммы и результаты исследований свойств твердых растворов полупроводниковых соединений GaN, AlN, InN, полученных с использованием магнетронного напыления, МЛЭ- и МОСГФЭ-те ... More
Add   Электрофизические и физико-химические свойства омических контактов для соединений III-N
Authors: Вилисова, Мария Дмитриевна | Великовский, Леонид Эдуардович | Сим, Павел Евгеньевич | Брудный, Павел Александрович | Брудный, Валентин Натанович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 8. С. 73-78
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Проведен анализ экспериментальных данных по исследованию омических контактов на основе однослойных и многослойных металлизаций к GaN и твердым растворам (In, Al, Ga)N. Экспериментально исследованы мет ... More
Add   Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики
Authors: Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Копьев, Виктор Васильевич | Новиков, Вадим Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 7. С. 110-113
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Расчеты из первых принципов оптических констант слоистых кристаллов GaSe и InSe
Authors: Саркисов, Сергей Юрьевич | Брудный, Валентин Натанович | Журавлев, Юрий Николаевич (физик) | Кособуцкий, Алексей Владимирович
Source: Физика твердого тела. 2015. Т. 57, Вып. 9. С. 1693-1697
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Копьев, Виктор Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 5. С. 53-56
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Представлены результаты исследования температурной зависимости квантового выхода светодиодных
Add   Уровень зарядовой нейтральности и электронные свойства межфазных границ в слоистом полупроводнике ε-GaSe
Authors: Брудный, Валентин Натанович | Саркисов, Сергей Юрьевич | Кособуцкий, Алексей Владимирович
Source: Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49, вып. 10. С. 1351-1354
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1–x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P
Authors: Олейник, Владимир Леонидович | Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Рябоштан, Юрий Леонидович | Горлачук, Павел Владимирович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 7. С. 48-51
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN
Authors: Брудный, Валентин Натанович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 3. С. 50-53
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Светодиодные структуры InGaN/GaN с короткопериодной сверхрешеткой, выращенные на планарной и профилированной сапфировых подложках
Authors: Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Копьев, Виктор Васильевич | Новиков, Вадим Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 11. С. 134-137
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Становление и развитие научного и образовательного направлений по физике полупроводников в Томском государственном университете
Authors: Брудный, Валентин Натанович | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Толбанов, Олег Петрович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Электронная промышленность. 2014. № 1. С. 7-15
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Структурные дефекты в тройном полупроводниковом соединении ZnGeP2
Authors: Титов, Константин Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 1. С. 46-49
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Электронные свойства p-GaN(Mg), облученного реакторными нейтронами
Authors: Бойко, В. М. | Веревкин, Сергей Сергеевич | Ермаков, В. С. | Колин, Николай Георгиевич | Корулин, Алексей Викторович | Поляков, А. Я. | Брудный, Валентин Натанович
Source: Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48, вып. 7. С. 885-889
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Влияние жесткой радиации на электронные, оптические и рекомбинационные свойства соединений (Al, Ga, In)-P, (Al, Ga)-As и их твердых растворов
Authors: Брудный, Валентин Натанович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8. С. 37-39
Type: статьи в журналах
Date: 2013

Creator

Date

Subject

Resource Type

^