Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Великовский, Леонид Эдуардович

Add to Quick Collection   All 5 Results

Showing items 1 - 5 of 5.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Плазменное травление в технологии InAlN/GaN HEMT
Authors: Шахнов, Вадим Анатольевич | Великовский, Леонид Эдуардович | Брудный, Павел Александрович | Демченко, Ольга Игоревна | Филиппов, Иван Андреевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 1. С. 84-87
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Проанализированы экспериментальные данные по плазменному травлению суб-100-нм затворных щелей в транзисторах с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе гетероструктур InAlN/GaN. Рассмотрено вл ... More
Add   InAlN/GaN HEMT-транзистор гигагерцового диапазона
Authors: Брудный, Павел Александрович | Великовский, Леонид Эдуардович | Сим, Павел Евгеньевич
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 272-274
Type: статьи в сборниках
Date: 2019
Add   Особенности радиационных изменений электрических свойств INALN/GAN HEMT
Authors: Брудный, Валентин Натанович | Брудный, Павел Александрович | Великовский, Леонид Эдуардович | Афонин, Антон Геннадьевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 9. С. 106-112
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: Проанализировано влияние облучения протонами, электронами, гамма-лучами и быстрыми нейтронами на параметры InAlN/GaN HEMT-структур. Рассмотрены особенности исходных электронных свойств барьерных слоев ... More
Add   Физические свойства твердых растворов InxAl1-xN
Authors: Брудный, Валентин Натанович | Вилисова, Мария Дмитриевна | Великовский, Леонид Эдуардович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 6. С. 142-147
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Проанализированы фазовые диаграммы и результаты исследований свойств твердых растворов полупроводниковых соединений GaN, AlN, InN, полученных с использованием магнетронного напыления, МЛЭ- и МОСГФЭ-те ... More
Add   Электрофизические и физико-химические свойства омических контактов для соединений III-N
Authors: Вилисова, Мария Дмитриевна | Великовский, Леонид Эдуардович | Сим, Павел Евгеньевич | Брудный, Павел Александрович | Брудный, Валентин Натанович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 8. С. 73-78
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Проведен анализ экспериментальных данных по исследованию омических контактов на основе однослойных и многослойных металлизаций к GaN и твердым растворам (In, Al, Ga)N. Экспериментально исследованы мет ... More
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
^