Add to Quick Collection
All 56 Results
Showing items 1 - 15 of 56.
Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 1. С. 56-66
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
Представлен обзор литературы по магнитным свойствам арсенида галлия, легированного марганцем (GaMnAs), с включениями нанокластеров. Экспериментальные исследования однозначно показали, что GaMnAs с вкл
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 2. С. 14-22
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
Представлен обзор работ по магнитным свойствам арсенида галлия, легированного марганцем (GaMnAs), с включениями нанокластеров. Экспериментальные исследования однозначно показали, что GaMnAs с включени
... More
Type: монографии
Date: 2022
Description:
В монографии систематизированы наиболее важные, по нашему мнению, данные, касающиеся процесса диффузии в арсениде галлия собственных точечных дефектов, донорных, акцепторных примесей, примесей с глубо
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 6. С. 3-16
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
Представлен обзор литературы по легированию AlN немагнитными примесями (элементами I, II, III и IV групп обеих подгрупп и редкоземельными элементами), придающими ему ферромагнитные свойства. Детально
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 12. С. 160-165
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
Проведено исследование образования дислокаций в процессе диффузии примесей в GaAs. Изучено образование дислокаций в диффузионных слоях GaAs, легированных разными примесями (элементами II, IV, VI групп
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 4. С. 16-21
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Проведено исследование временной динамики релаксации неравновесной концентрации носителей заряда в полупроводниковых кристаллах SI-GaAs:Cr и EL2-GaAs методом pump-probe-терагерцовой спектроскопии. Про
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 11. С. 162-172
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Представлен обзор литературы по электрическим и магнитным свойствам нитрида алюминия, легированного примесями переходных металлов группы железа. В обзоре использованы данные из открытых литературных и
... More
Source: Порядок / Беспорядок. Организация : материалы научно-практической конференции "HR-trend" (Томск, 25-27 июня 2020 г.). Томск, 2020. С. 25-28
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Source: Письма в журнал технической физики. 2018. Т. 44, вып. 11. С. 21-29
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description:
Представлены результаты исследования процессов переноса носителей заряда и перезарядки глубоких уровней в полупроводниковых структурах для лавинных S-диодов. Исследованы арсенид-галлиевые структуры n+
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 3. С. 82-88
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description:
Систематизированы данные по электрическим, структурным и магнитным свойствам арсенида галлия, легированного железом и полученного разными методами. Рассмотрены условия получения структур с магнитными
... More
Source: Оптика и спектроскопия. 2017. Т. 123, № 6. С. 861-865
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Исследованы спектры и амплитудно-временные характеристики излучения кристаллов Оа203, легированных Бп и Ие, при возбуждении пучком убегающих электронов и эксилампой с длиной волны 222 нм. Показано, чт
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 241-245
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Показано, что проводимость структур Ga2O3- п -GaAs при положительных потенциалах на затворе определяется термоэлектронной эмиссией из GaAs в Ga2O3. При отрицательных смещениях проводимость структур об
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12. С. 113-121
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Представлен обзор научной литературы с 2000 г. по легированию InN примесями, придающими ему ферромагнитные свойства, и магнитным свойствам InN. По данным теоретических и экспериментальных исследований
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 56-60
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Представлены результаты анализа структуры и фазового состава пленок оксида галлия, полученных ВЧ-магнетронным напылением. Показано, что в интервале 290-350 К рост проводимости пленок с повышением темп
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 236-240
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Приведены результаты исследований влияния термического отжига на свойства структур n -GaAs- Ga2O3-Me. Показана связь структурно-фазовых изменений в оксидной пленке с проводимостью образцов на переменн
... More
