Влияние короткопериодной сверхрешетки InGaN/GaN на эффективность светодиодов синего диапазона волн в области высокого уровня оптической накачки

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Влияние короткопериодной сверхрешетки InGaN/GaN на эффективность светодиодов синего диапазона волн в области высокого уровня оптической накачки	488 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

#нитрид галлия/индия

#светодиоды

#квантовые ямы

#короткопериодные сверхрешетки

#фотолюминесценция

#внутренний квантовый выход

Title: Влияние короткопериодной сверхрешетки InGaN/GaN на эффективность светодиодов синего диапазона волн в области высокого уровня оптической накачки
Creator: Прудаев, Илья Анатольевич
|
Романов, Иван Сергеевич
|
Копьев, Виктор Васильевич
|
Брудный, Валентин Натанович
|
Мармалюк, Александр Анатольевич
|
Курешов, Владимир Александрович
|
Сабитов, Дамир Равильевич
|
Мазалов, Александр Владимирович
Date: 2016
Description: Представлены результаты экспериментальных исследований внутреннего квантового выхода фотолюминесценции светодиодных гетероструктур синего диапазона длин на основе множественных квантовых ями InₓGa₁₋ₓN/GaN с короткопериодными сверхрешетками InᵧGa₁₋ᵧN/GaN с малым содержанием In при высоких уровнях оптической накачки. Введение сверхрешетки InᵧGa₁₋ᵧN/GaN со стороны n-области светодиодной гетероструктуры InₓGa₁₋ₓN/GaN позволяет повысить значение ее внутреннего квантового выхода предположительно за счет уменьшения квантового эффекта Штарка и снижения темпа оже-рекомбинации.

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Физический факультет | Радиофизический факультет | Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 7. С. 19-22
Language: rus

Created: 19-06-2024

742 Visitors

691 Hits

65 Downloads

Радиофизический факультет

Физический факультет

Журналы ТГУ Влияние короткопериодной сверхрешетки InGaN/GaN на эффективность светодиодов синего диапазона волн в области высокого уровня оптической накачки