Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета

Add to Quick Collection   All 24 Results

Showing items 1 - 15 of 24.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 163-164
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 187-188
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 159-160
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Source: Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2023. Т. 26, № 2. С. 137-147
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Ga2O3 - широкозонный материал с рядом уникальных характеристик, которые делают его перспективным материалом фотоники: он оптически прозрачен для оптического и ближнего ультрафиолетового излучения, обл ... More
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 181
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Source: Письма в журнал технической физики. 2022. Т. 48, № 22. С. 24-27
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: Методами хлоридной парофазной эпитаксии и магнетронного распыления получены гетероструктуры α-Ga2O3/α-Cr2O3 со структурой корунда. Исследованы структурные, электропроводящие и фотоэлектрические свойст ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 2. С. 8-11
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Представлены результаты исследования влияния толщины барьерных слоев GaN в активной области светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN на внутреннюю квантовую эффективность (Internal Quantum E ... More
Source: Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51, вып. 2. С. 240-246
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: В работе исследованы зависимости квантового выхода от температуры и уровня возбуждения для светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN. Эксперимент проводился для двух режимов возбужден ... More
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия. Томск, 2016. С. 175-177
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Source: Системы связи и радионавигации : сборник тезисов. Красноярск, 2016. С. 285-288
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Source: Системы связи и радионавигации : сборник тезисов. Красноярск, 2015. С. 315-318
Type: статьи в сборниках
Date: 2015

Date

^