Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические харакеристики	377 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики
Creator: Романов, Иван Сергеевич
|
Брудный, Валентин Натанович
|
Копьев, Виктор Васильевич
|
Новиков, Вадим Александрович
|
Мармалюк, Александр Анатольевич
|
Курешов, Владимир Александрович
|
Сабитов, Дамир Равильевич
|
Мазалов, Александр Владимирович
|
Прудаев, Илья Анатольевич
Contributor: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники
Date: 2015

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет | Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 7. С. 110-113
Language: rus

Created: 09-06-2016

2571 Visitors

2252 Hits

347 Downloads

Журналы ТГУ Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики