Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
статьи в журналах | 2014 | молекулярно-лучевая эпитаксия

Add to Quick Collection   All 23 Results

Showing items 1 - 15 of 23.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Atomic relaxations at the (0001) surface of Bi2Se3 single crystals and ultrathin films
Authors: Roy, Sumalay | Mohseni, Katayoon | Ernst, Arthur | Otrokov, Mikhail M. | Vergniory, M. G. | Mussler, G. | Kampmeier, J. | Grützmacher, D. | Tusche, C. | Schneider, J. | Chulkov, Evgueni V. | Kirschner, Jürgen | Meyerheim, Holger L.
Source: Physical Review B. 2014. Vol. 90, № 15. P. 155456-1-155456-9
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Defect study in molecular beam epitaxy-grown HgCdTe films with activated and unactivated arsenic
Authors: Dvoretsky, Sergei A. | Mynbaev, Karim D. | Fitsych, Olena I. | Mikhailov, Nikolay N. | Varavin, Vasilii S. | Pociask-Bialy, Malgorzata | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Sheregii, E. | Izhnin, Igor I.
Source: Journal of applied physics. 2014. Vol. 115, № 16. P. 163501-1-163501-7
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Distribution of the surface potential of epitaxial HgCdTe
Authors: Novikov, Vadim A. | Bezrodnyy, Dmitriy A. | Dvoretsky, Sergei A. | Grigoryev, Denis V.
Source: Applied physics letters. 2014. Vol. 105, № 10. P. 102107-1-102107-4
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Electrophysical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures comprising CdHgTe-based quantum wells
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Gorn, Dmitriy Igorevich
Source: Advanced Materials Research. 2014. Vol. 1040. P. 34-38
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Kokhanenko, Andrey P. | Satdarov, Vadim G. | Pchelyakov, Oleg P. | Nikiforov, Alexander I. | Lozovoy, Kirill A.
Source: Opto-electronics review. 2014. Vol. 22, № 3. P. 171-177
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Light emission from CdHgTe–based nanostructures
Authors: Mynbaev, K. D. | Bazhenov, N. L. | Izhnin, A. I. | Izhnin, Igor I. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Mikhailov, Nikolay N. | Varavin, Vasilii S. | Dvoretsky, Sergei A. | Shilyaev, A. V.
Source: Materials physics and mechanics. 2014. Vol. 21. P. 112-118
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Photoelectrical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M.
Source: Thin solid films. 2014. Vol. 551. P. 92-97
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) в режиме сильной инверсии
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 8. С. 59-69
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Влияние диффузионного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства узкозонных полупроводников CdHgTe
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Коротаев, Александр Григорьевич | Романов, Илья Владимирович | Тарасенко, Виктор Федотович | Шулепов, Михаил Александрович | Григорьев, Денис Валерьевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 10/3. С. 126-130
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Влияние состава варизонного слоя на формирование n+–n−–p-структур в имплантированных бором гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe
Authors: Талипов, Нияз Хатимович | Войцеховский, Александр Васильевич | Григорьев, Денис Валерьевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 3. С. 54-67
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Влияние температуры роста на статистические параметры морфологии поверхности GaN
Authors: Новиков, Вадим Александрович | Преображенский, Валерий Владимирович | Ивонин, Иван Варфоломеевич
Source: Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48, вып. 7. С. 898-901
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Дифференциальное сопротивление области пространственного заряда МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0.23) в широком диапазоне температур
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич (физик) | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Кузьмин, Валерий Давыдович | Ремесник, Владимир Григорьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 4. С. 102-109
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-HgCdTe (x = 0,22—0,23 и 0,31—0,32) в широком диапазоне температур
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич (физик) | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Кузьмин, Валерий Давыдович | Ремесник, Владимир Григорьевич | Сидоров, Юрий Георгиевич | Несмелов, Сергей Николаевич
Source: Прикладная физика. 2014. № 4. С. 56-61
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Квантовые ямы InGaAs/GaAs, выращенные методом МЛЭ на искусственных подложках GaAs/Si(001)
Authors: Емельянов, Евгений Александрович | Абрамкин, Демид Суад | Пчеляков, Олег Петрович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Преображенский, Валерий Владимирович | Василенко, Антон Павлович | Феклин, Дмитрий Федорович | Zhicuan, Niu | Коханенко, Андрей Павлович | Haiqiao, Ni
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 3. С. 68-72
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Лазерная генерация в структурах КРТ с квантовыми ямами
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич
Source: Прикладная физика. 2014. № 5. С. 5-10
Type: статьи в журналах
Date: 2014

Creator

Subject

^