Add to Quick Collection
All 7 Results
Showing items 1 - 7 of 7.
Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 13-19
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Проведены исследования зарождения островков Ge на ступенчатой поверхности Si(100). По дифракции быстрых электронов показано, что при температуре 600 оС при неизменном потоке Si со скоростью осаждения
... More
Source: Автометрия. 2017. Т. 53, № 2. С. 109-116
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Показана возможность создания высоковольтного волноводного фотодетектора, составленного из диодов Шоттки, на структуре Au/Ge-Si с квантовыми точками Ge, псевдоморфными к кремниевой матрице, обеспечива
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 10. С. 82-86
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description:
Исследованы рентгеновские фотоэлектронные спектры, спектры характеристических потерь и сечения неупругого рассеяния электронов моносилицида железа FeSi. Показано, что спектры сечения неупругого рассея
... More
Authors:
Емельянов, Евгений Александрович |
Абрамкин, Демид Суад |
Пчеляков, Олег Петрович |
Путято, Михаил Альбертович |
Семягин, Борис Рэмович |
Преображенский, Валерий Владимирович |
Василенко, Антон Павлович |
Феклин, Дмитрий Федорович |
Zhicuan, Niu |
Коханенко, Андрей Павлович |
Haiqiao, Ni
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 3. С. 68-72
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Authors:
Коханенко, Андрей Павлович |
Пчеляков, Олег Петрович |
Лошкарев, Иван Дмитриевич |
Селезнев, Владимир Александрович |
Путято, Михаил Альбертович |
Семягин, Борис Рэмович |
Преображенский, Валерий Владимирович |
Zhicuan, Niu |
Haiqiao, Ni |
Емельянов, Евгений Александрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 1. С. 49-54
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 249-250
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 9. С. 59-64
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description:
В настоящее время большое внимание уделяется детальному рассмотрению фундаментальных свойств Ge/Si-гетероструктур с нанокластерами Ge. В работе рассматриваются потенциальные возможности использования
... More