Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
электрические свойства

Add to Quick Collection   All 31 Results

Showing items 1 - 15 of 31.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Russian physics journal. 2023. Vol. 65, № 9. P. 1538-1554
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: The paper consisting of two parts presents a detailed consideration of the proposed method of discrete mobility spectrum analysis and its application for studying the parameters of charge carriers in ... More
Source: Russian physics journal. 2023. Vol. 65, № 10. P. 1716-1731
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: The paper, which consists of two parts, considers in detail the method of discrete mobility spectrum analysis (DMSA) proposed by the authors as well as its application to determine the parameters of c ... More
Source: Materials today communications. 2023. Vol. 34. P. 105241 (1-10)
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: The effect of H2, NH3, CO, CH4, O2 and NO2 on the electroconductive properties of the In2O3-Ga2O3 mixed compounds films obtained by the halide vapor phase epitaxy was studied. In the temperature range ... More
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 264-266
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 7. С. 66-73
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Впервые тонкие пленки системы β-Ga2O3:Zn (содержание Zn от 0 до 10 ат.%) были получены методом плазмохимического осаждения из газовой фазы (PECVD) в условиях низкотемпературной неравновесной плазмы ин ... More
Source: Journal of applied physics. 2022. Vol. 131, № 21. P. 215701-1-215701-8
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: We report on growth and electrical properties of α-Ga2O3 films prepared by halide vapor phase epitaxy (HVPE) at 500 °C on α-Cr2O3 buffers predeposited on sapphire by magnetron sputtering. The α-Cr2O3 ... More
Source: International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2021), 25-27 August 2021, Lviv, Ukraine : abstract book. Kiev, 2021. P. 44-
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Description: The use of unipolar barrier architectures in infrared detectors based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy (MBE) provides significant technological advantages. Earlier, the authors of the manuscr ... More
Source: Вестник Томского государственного университета. Химия. 2020. № 17. С. 51-68
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Вода и водосодержащие системы являются весьма чувствительными к внешним воздействиям различной природы. Известно, что обработка таких объектов даже низкоэнергетическими полями может существенно измени ... More
Source: Infrared physics and technology. 2019. Vol. 98. P. 230-235
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: The Hall-effect/electrical conductivity measurements and mobility spectrum analysis (MSA) have been used for the study of the profiles of different electron species and corresponding defects induced i ... More
Source: Infrared physics and technology. 2019. Vol. 102. P. 103035 (1-4)
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: The unipolar MWIR nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy on GaAs (0 1 3) substrates were created. The CdTe content in the barrier layer varied from 0.67 to 0.84 for various sam ... More
Source: 2018 43rd International Conference on Infrared Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz), Nagoya Congress Center, Nagoya, Japan, September 9-14, 2018 : conference guide. [S. l.], 2018. P. [1-2]
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Source: Международная конференция "Перспективные материалы с иерархической структурой для новых технологий и надежных конструкций" ; X Международная конференция "Химия нефти и газа" : тезисы докладов. Томск, 2018. С. 423-424
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Source: Physical Review E. 2018. Vol. 97, № 4. P. 043307-1-043307-11
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: The electrical properties of conducting meshes are investigated numerically by solving the related Kirchhoff equations with the Lanczos algorithm. The method is directly inspired by the recursion tech ... More
Source: Semiconductor science and technology. 2018. Vol. 33, № 9. P. 095011 (1-8)
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: The effects of fast neutron (up to 1.75 × 1020 f.n. cm–2) and fast plus thermal neutron (up to 3.5 × 1020 f.t.n. cm–2) irradiation on the electrical properties and crystal lattice of GaN films have be ... More
^