Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
вольт-амперные характеристики

Add to Quick Collection   All 10 Results

Showing items 1 - 10 of 10.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Влияние конструкции активной области AlGaInP светодиодов на низкотемпературные вольт-амперные характеристики
Authors: Олейник, Владимир Леонидович | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия. Томск, 2016. С. 194-196
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Add   Исследование низкотемпературных электрических характеристик светодиодов из AlGaInP
Authors: Олейник, Владимир Леонидович | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 138-140
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Низкотемпературные вольт-амперные характеристики AlGaInP светодиодов
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Рябоштан, Юрий Леонидович | Горлачук, Павел Владимирович | Олейник, Владимир Леонидович
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XIV Российской научной студенческой конференции, 13–15 мая 2014 г., Томск, Россия. Томск, 2014. С. 142-144
Type: статьи в сборниках
Date: 2014
Add   Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1-x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Иван Сергеевич | Рябоштан, Юрий Леонидович | Горлачук, Павел Владимирович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Олейник, Владимир Леонидович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 7. С. 48-51
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1–x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P
Authors: Олейник, Владимир Леонидович | Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Рябоштан, Юрий Леонидович | Горлачук, Павел Владимирович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 7. С. 48-51
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Бактыбаев, Азамат Абдухашимулы | Романов, Иван Сергеевич | Зубрилкина, Юлия Леонидовна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 9. С. 88-89
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Влияние температуры на механизм инжекции носителей в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGan/Gan
Authors: Голыгин, Илья Юрьевич | Ширапов, Сергей Баирович | Романов, Иван Сергеевич | Хлудков, Станислав Степанович | Толбанов, Олег Петрович | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 47, вып. 10. С. 1391-1395
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Рекомбинационные токи в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlхGa1-х)0,5In0,5P/(AlyGa1-y)0,5In0,5P
Authors: Скакунов, Максим Сергеевич | Лелеков, Михаил Александрович | Рябоштан, Юрий Леонидович | Горлачук, Павел Владимирович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8. С. 44-47
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN
Authors: Голыгин, Илья Юрьевич | Новиков, Вадим Александрович | Данюк, Денис Борисович | Скакунов, Максим Сергеевич | Толбанов, Олег Петрович | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 101-102
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Ограничение тока в светодиодах на основе нитридов A3B5 при прямом смещении
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Толбанов, Олег Петрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 12. С. 66-68
Type: статьи в журналах
Date: 2011
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »

Creator

Date

Subject

Resource Type

^