Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1-x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1-x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P	523 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1-x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P
Creator: Прудаев, Илья Анатольевич
|
Романов, Иван Сергеевич
|
Брудный, Иван Сергеевич
|
Рябоштан, Юрий Леонидович
|
Горлачук, Павел Владимирович
|
Мармалюк, Александр Анатольевич
|
Олейник, Владимир Леонидович
Contributor: Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ
-: Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ
Date: 2014

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет | Научное управление | Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 7. С. 48-51
Language: rus

Created: 20-03-2015

1771 Visitors

1540 Hits

247 Downloads

Журналы ТГУ Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1-x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P