Влияние конструкции активной области AlGaInP светодиодов на низкотемпературные вольт-амперные характеристики

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Влияние конструкции активной области AlGaInP светодиодов на низкотемпературные вольт-амперные характеристики	341 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Влияние конструкции активной области AlGaInP светодиодов на низкотемпературные вольт-амперные характеристики
Title: Influence of the active region structure of AlGaInP LED on low-temperature current-voltage characteristics
Creator: Олейник, Владимир Леонидович
|
Прудаев, Илья Анатольевич
Date: 2016

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в сборниках
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия. Томск, 2016. С. 194-196
Language: rus