Please be patient while the object screen loads.
Электронная библиотека (репозиторий)
Томского государственного университета
English
Русский
Home
Show
All
Show
Quick Collection
Browse ↓
Communities & Collections
By Title
By Creator
By Subject
By Date
Additional Resources
Search History
Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
-
Сделать пожертвование
-
Advanced Search
Preview
Add to "Quick Collection"
Description
Size
Format
Влияние температуры на механизм инжекции носителей в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGan/Gan
833 KB
Adobe Acrobat PDF
Read
Download
#светодиоды
#вольт-амперные характеристики
#механизмы инжекции
#температурная зависимость
Title
Влияние температуры на механизм инжекции носителей в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGan/Gan
Creator
Голыгин, Илья Юрьевич
|
Ширапов, Сергей Баирович
|
Романов, Иван Сергеевич
|
Хлудков, Станислав Степанович
|
Толбанов, Олег Петрович
|
Прудаев, Илья Анатольевич
Contributor
Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники
-
Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ
-
Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Date
2013
Relationships
Show Relationship Browser for this Object
collection(s)
Радиофизический факультет
|
Сибирский физико-технический институт
Identifier
смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type
статьи в журналах
Source
Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 47, вып. 10. С. 1391-1395
Language
rus
Created: 19-11-2013
1807 Visitors
1267 Hits
570 Downloads
Сибирский физико-технический институт
Радиофизический факультет
Влияние температуры на механизм инжекции носителей в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGan/Gan
^ DIV >