Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
молекулярно-лучевая эпитаксия | 2020

Add to Quick Collection   All 21 Results

Showing items 1 - 15 of 21.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Импеданс МДП-приборов на основе nBn-структур из теллурида кадмия – ртути
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 6. С. 8-15
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Изготовлены три вида nBn -структур на основе теллурида кадмия - ртути, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В качестве барьерных слоев в nBn -структурах использовался Hg1-x Cd x Te при x ... More
Add   Адмиттанс барьерных структур на основе теллурида кадмия – ртути
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 3. С. 76-87
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Представлены результаты исследований адмиттанса униполярных барьерных структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из GaAs (013). С использованием па ... More
Add   Admittance of metal-insulator-semiconductor devices based on HgCdTe nBn structures
Authors: Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Sidorov, Georgiy Yu. | Yakushev, Maxim V. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: Semiconductor science and technology. 2020. Vol. 35, № 5. P. 055026 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Metal-insulator-semiconductor (MIS) structures were fabricated by depositing an Al2O3 dielectric on
Add   Investigation of the effect of thermal annealing on the electrical properties of the near-surface layer of MBE n-HgCdTe using MIS techniques
Authors: Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Varavin, Vasilii S. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Sidorov, Georgiy Yu. | Yakushev, Maxim V. | Marin, Denis V. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: Journal of electronic materials. 2020. Vol. 49, № 5. P. 3202-3208
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Heteroepitaxial n-Hg0.78Cd0.22Te films with near-surface graded-gap layers
Add   Рост квантовых точек германия на окисленной поверхности кремния
Authors: Коханенко, Андрей Павлович | Акименко, Наталья Юрьевна | Дирко, Владимир Владиславович | Войцеховский, Александр Васильевич | Лозовой, Кирилл Александрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 2. С. 104-109
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Рассматривается эпитаксиальный рост квантовых точек германия на окисленной поверхности кремния. Предложена кинетическая модель зарождения и роста трехмерных островков по механизму Фольмера – Вебера в ... More
Add   Admittance studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Izhnin, Igor I. | Mynbaev, Karim D. | Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Varavin, Vasilii S. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Yakushev, Maxim V. | Korotaev, A. G. | Sidorov, Georgiy Yu.
Source: Surface and coatings technology. 2020. Vol. 392. P. 125760 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Metal–insulator–semiconductor (MIS) structures based on HgCdTe were fabricated after various stages of pn
Add   TEM studies of structural defects in HgTe/HgCdTe quantum wells
Authors: Bonchyk, A. Yu. | Savytskyy, Hrygory V. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Yakushev, Maxim V. | Świątek, Zbigniew | Morgiel, Y. | Izhnin, Igor I. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Korotaev, A. G. | Mynbaev, Karim D. | Fitsych, Olena I. | Varavin, Vasilii S.
Source: Applied nanoscience. 2020. Vol. 10, № 8. P. 2867-2871
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Bright-field and high-resolution transmission electron microscopy and microdiffraction have been used for the study of defects in two HgTe/HgCdTe single quantum well (QW) structures grown by molecular ... More
Add   Formation of SnO and SnO2 phases during the annealing of SnO(x) films obtained by molecular beam epitaxy
Authors: Timofeev, Vyacheslav F. | Mashanov, Vladimir I. | Azarov, Ivan A. | Loshkarev, Ivan D. | Volodin, Vladimir A. | Gulyaev, Dmitry V. | Chetyrin, Igor A. | Korolkov, Ilya V. | Nikiforov, Alexander I.
Source: Applied surface science. 2020. Vol. 512. P. 145735 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: SnO and SnO2 films were obtained on the SiO2 surface by the molecular-beam epitaxy method. The initial films
Add   Диффузионное ограничение темнового тока в nBn-структурах на основе МЛЭ HgCdTe
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич
Source: Прикладная физика. 2020. № 1. С. 25-31
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Изучены темновые токи в средневолновых nBn-структурах на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs (013). Пассивация поверхности боковых стенок мезаструктур ... More
Add   Growth of germanium quantum dots on oxidized silicon surface
Authors: Kokhanenko, Andrey P. | Akimenko, Nataliya Yu. | Dirko, Vladimir V. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Lozovoy, Kirill A.
Source: Russian physics journal. 2020. Vol. 63, № 2. P. 296-302
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Epitaxial growth of germanium quantum dots on an oxidized silicon surface is considered. A kinetic model of
Add   Сигнальные и темновые свойства инфракрасных барьерных детекторов на основе теллурида кадмия ртути
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: IX Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М., 2020. С. 413-414
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Description: Приведен^! результаты экспериментальн^гх исследований сигнальн^гх и темновых характеристик средневолновых инфракрасн^гх nBn-детекторов на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитакс ... More
Add   Influence of the preliminary annealing conditions on step motion at the homoepitaxy on the Si(100) surface
Authors: Yesin, Michael Yu. | Nikiforov, Alexander I. | Deryabin, Alexander S. | Timofeev, Vyacheslav A.
Source: 2020 21st International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM). [S. l.], 2020. P. 36-41
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Description: In this paper, the motion of steps SA and SB on the Si(100) surface in the process of Si Molecular beam epitaxy (MBE) is explored. The study was carried out by means of the reflection intensity depend ... More
Add   Admittance of barrier structures based on mercury cadmium telluride
Authors: Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Sidorov, Georgiy Yu. | Yakushev, Maxim V. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: Russian physics journal. 2020. Vol. 63, № 3. P. 432-445
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: The results of studying the admittance of unipolar barrier structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy (MBE) on GaAs (013) substrates are presented. Using passivation with an Al2O3 insu ... More
Add   Electrical properties of n‑HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum wells
Authors: Syvorotka, I. I. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Izhnin, Igor I.
Source: Applied nanoscience. 2020. Vol. 10, № 8. P. 2489-2494
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Hg1−xCdxTe grown by molecular beam epitaxy including HgTe single quantum well (SQW) with thickness of 6.5 nm were
Add   Interaction between islands in kinetic models of epitaxial growth of quantum dots
Authors: Izhnin, Igor I. | Fitsych, Olena I. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Kokhanenko, Andrey P. | Lozovoy, Kirill A. | Dirko, Vladimir V.
Source: Applied nanoscience. 2020. Vol. 10, № 8. P. 2527-2533
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: In the present paper, for the first time, the influence of interactions between 3D islands during epitaxial growth of quantum dots by Stranski–Krastanov mechanism is considered in the frames of kineti ... More

Creator

Subject

Resource Type

^