Адмиттанс барьерных структур на основе теллурида кадмия – ртути

doi:10.17223/00213411/63/3/76

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Адмиттанс барьерных структур на основе теллурида кадмия – ртути	1 MB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.17223/00213411/63/3/76

#теллурид кадмия-ртути

#молекулярно-лучевая эпитаксия

#nBn-структура

#барьерные детекторы

#адмиттанс

#вольт-фарадные характеристики

#метод эквивалентных схем

#концентрация примесей

Title: Адмиттанс барьерных структур на основе теллурида кадмия – ртути
Creator: Несмелов, Сергей Николаевич
|
Дзядух, Станислав Михайлович
|
Дворецкий, Сергей Алексеевич
|
Михайлов, Николай Николаевич (физик)
|
Сидоров, Георгий Юрьевич
|
Якушев, Максим Витальевич
|
Войцеховский, Александр Васильевич
Date: 2020
DOI: 10.17223/00213411/63/3/76
Description: Представлены результаты исследований адмиттанса униполярных барьерных структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из GaAs (013). С использованием пассивации диэлектриком Al2O3 изготовлены приборные nBn-структуры на основе HgCdTe, причем параметры слоев в созданных структурах обеспечивали возможность детектирования в спектральном диапазоне 3–5 мкм. На основании анализа частотных зависимостей адмиттанса предложена эквивалентная схема nBn-структур при малых смещениях. Определены зависимости параметров эквивалентной схемы от площади мезаструктуры и от температуры. Изучены свойства высокотемпературных максимумов на полевых зависимостях емкости и проводимости nBn-структур, которые предположительно связаны с перезарядкой поверхностных состояний на гетеро- границе между барьерным и поглощающим слоями. Установлено, что в широком диапазоне частот и температур вольт-фарадные характеристики nBn структур на основе HgCdTe при обратных смещениях могут использоваться для определения концентрации донорной примеси в поглощающем слое. Показано, что адмиттанс тестовых МДП-приборов в мезаконфигурации, сформированных на основе nBn-структур из МЛЭ HgCdTe, определяется совместным влиянием электронных процессов в контактном, барьерном и поглощающем слоях.