Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета

Add to Quick Collection   All 198 Results

Showing items 1 - 15 of 198.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Journal of electronic materials. 2021. Vol. 50, № 8. P. 4599-4605
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Mid-wave infrared nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy on GaAs (013) substrates were fabricated. The composition in the absorbing layer was 0.29, and in the barrier layer it ... More
Source: Russian physics journal. 2021. Vol. 64, № 5. P. 763-769
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Two types of long-wave infrared nBn-structures based on mercury cadmium telluride grown by molecular beam epitaxy on GaAs (013) substrates have been fabricated. For each type of device, the side walls ... More
Source: Journal of electronic materials. 2021. Vol. 50, № 4. P. 2323-2330
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: The effect of As+ ion implantation on the electrical properties of the near-surface layer of n-HgCdTe films grown by molecular beam epitaxy (MBE) on Si (310) substrates was experimentally studied. A s ... More
Source: Journal of communications technology and electronics. 2021. Vol. 66, № 3. P. 337-339
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: The admittance of MIS structures based on n(p)-Hg1–xCdxTe (x = 0.21–0.23) grown by molecular-beam epitaxy on Si and GaAs substrates is studied. The possibility of increasing the value of the product o ... More
Source: Pulsed lasers and laser applications AMPL-2021 : the 15th International conference, September 12-17, 2021, Tomsk, Russia : abstracts. Tomsk, 2021. P. 112-113
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Description: One of the topical areas of solid state photoelectronics is the creation of infrared detectors based on unipolar barrier systems (for example, with an nBn architecture). The greatest progress has been ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 9. С. 3-10
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Двумерные материалы стали одной из центральных тем исследования ученых по всему миру после получения графена – моноатомного слоя углерода. В настоящее время двумерные кристаллы рассматриваются в качес ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 2. С. 10-14
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Продемонстрирована фотолюминесценция нанокристаллов Si, встроенных в диэлектрическую матрицу CaF2 в структурах (Si+CaF2)/CaF2/Si(111). Люминесценция наблюдалась при комнатной температуре в видимом диа ... More
Source: Фотоника 2021 : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 4-8 октября 2021 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2021. С. 140
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Description: В работе представлены результаты исследований процессов накопления радиационных донорных дефектов и их отжига в подвергнутых ионной имплантации (ИИ) мышьяком (As) гетероэпитаксиальных пленках CdxHg1-x ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 8. С. 115-121
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Впервые получен гибридный материал, который включает оксиды олова поверх структуры с множественными квантовыми ямами Ge0.3Si0.7–ySny/Si. Оксиды олова, такие, как SnO и SnO2, формировались в результате ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 5. С. 3-8
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Изготовлены два вида длинноволновых nBn-структур на основе теллурида кадмия и ртути, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs(013). Для каждого вида приборов боковые стен ... More
Source: Девятая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов" к 100-летию со дня рождения академика Б. К. Вайнштейна ; Четвертая Международная школа молодых ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения", Москва, 22–26 ноября 2021 г. : сборник тезисов. [Б. м.], 2021. С. 48
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Description: В докладе представлены результаты численного моделирования униполярных nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe, а также сравнение результатов расчётов с результатами экспериментальных исследований их электр ... More
Source: Фотоника 2021 : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 4-8 октября 2021 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2021. С. 136
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Description: В докладе представлены результаты теоретического и экспериментального исследования электрических характеристик nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральных диапаз ... More
Source: Russian physics journal. 2020. Vol. 63, № 3. P. 432-445
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: The results of studying the admittance of unipolar barrier structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy (MBE) on GaAs (013) substrates are presented. Using passivation with an Al2O3 insu ... More
Source: Semiconductor science and technology. 2020. Vol. 35, № 5. P. 055026 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Metal-insulator-semiconductor (MIS) structures were fabricated by depositing an Al2O3 dielectric on

Date

^