Картины дифракции структур 1x2 и 2x1 при эпитаксии Si на Si(100)

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Картины дифракции структур 1x2 и 2x1 при эпитаксии Si на Si(100)	574 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Картины дифракции структур 1x2 и 2x1 при эпитаксии Si на Si(100)
Creator: Ворсин, Олег Игоревич
|
Дюков, Илья Юрьевич
|
Гнеушев, Анатолий Владимирович
|
Кукенов, Олжас Игоревич
Date: 2024
Description: В работе представлено исследование особенностей характера осцилляций интенсивности картин дифракции быстрых отраженных электронов в направлении [110] при эпитаксиальном росте Si на Si(100), а также интенсивности рефлексов от сверхструктур 1х2 и 2х1 в направлении [100] при разных температурах синтеза (200–800 °С).

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в сборниках
Source: Двадцать первая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 13−17 мая 2024 г. : сборник трудов. Томск, 2024. С. 64-65
Language: rus