Add to Quick Collection
All 59 Results
Showing items 1 - 15 of 59.
Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 1. С. 56-66
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
Представлен обзор литературы по магнитным свойствам арсенида галлия, легированного марганцем (GaMnAs), с включениями нанокластеров. Экспериментальные исследования однозначно показали, что GaMnAs с вкл
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 2. С. 14-22
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
Представлен обзор работ по магнитным свойствам арсенида галлия, легированного марганцем (GaMnAs), с включениями нанокластеров. Экспериментальные исследования однозначно показали, что GaMnAs с включени
... More
Source: Russian physics journal. 2022. Vol. 64, № 12. P. 2350-2356
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
A study of the formation of dislocations in the process of impurity diffusion in GaAs has been carried out. The formation of dislocations in GaAs diffusion layers doped with various impurities (elemen
... More
Authors:
Greiffenberg, Dominic |
Andrä, Marie |
Barten, Rebecca |
Bergamaschi, Anna |
Brückner, Martin |
Busca, Paolo |
Chiriotti, Sabina |
Chsherbakov, Ivan |
Dinapoli, Roberto |
Fajardo, Pablo |
Fröjdh, Erik |
Hasanaj, Shqipe |
Kozlowski, Pawel |
López-Cuenca, Carlos |
Lozinskaya, Anastassiya D. |
Meyer, Markus |
Mezza, Davide |
Mozzanica, Aldo |
Redford, Sophie |
Ruat, Marie |
Ruder, Christian |
Schmitt, Bernd |
Thattil, Dhanya |
Tinti, Gemma |
Tolbanov, Oleg P. |
Tyazhev, Anton V. |
Vetter, Seraphin |
Zarubin, Andrei N. |
Zhang, Jiaguo
Source: Sensors. 2021. Vol. 21, № 4. P. 1550 (1-22)
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
Chromium compensated GaAs or GaAs:Cr sensors provided by the Tomsk State University (Russia) were characterized using the low noise, charge integrating readout chip JUNGFRAU with a pixel pitch of 75 ×
... More
Source: Russian physics journal. 2021. Vol. 63, № 11. P. 1997-2003
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
A configuration and test samples of photoconductive dipole antennas based on SI-GaAs:Cr and LT-GaAs for generation and detection of terahertz radiation are developed. Their operating characteristics i
... More
Source: Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55, № 8. С. 693-698
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
Представлены результаты исследования транспорта носителей заряда в структурах из GaAs для детекторов ионизирующих излучений и сверхбыстрых фотоэлектрических переключателей, содержащих глубокие донорны
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 12. С. 160-165
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
Проведено исследование образования дислокаций в процессе диффузии примесей в GaAs. Изучено образование дислокаций в диффузионных слоях GaAs, легированных разными примесями (элементами II, IV, VI групп
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 4. С. 16-21
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Проведено исследование временной динамики релаксации неравновесной концентрации носителей заряда в полупроводниковых кристаллах SI-GaAs:Cr и EL2-GaAs методом pump-probe-терагерцовой спектроскопии. Про
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 11. С. 148-153
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Разработана конструкция и изготовлены лабораторные образцы фотопроводящих дипольных антенн на основе SI-GaAs:Сr и LT-GaAs для генерации и детектирования терагерцового излучения. Экспериментально иссле
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 3. С. 82-88
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description:
Систематизированы данные по электрическим, структурным и магнитным свойствам арсенида галлия, легированного железом и полученного разными методами. Рассмотрены условия получения структур с магнитными
... More
Authors:
Budnitsky, D. |
Lozinskaya, A. D. |
Kolesnikova, I. |
Zarubin, A. N. |
Shemeryankina, A. |
Mikhailov, T. |
Skakunov, M. S. |
Tolbanov, Oleg P. |
Tyazhev, Anton V. |
Novikov, Vladimir A.
Source: Journal of instrumentation : electronic journal. 2017. Vol. 12, № 1. P. C01063 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Producing of large area matrix detectors based on semiconductor materials with high atomic number suitable for the registration of the synchrotron radiation of high intensity in the photon energy rang
... More
Source: Journal of instrumentation : electronic journal. 2017. Vol. 12, № 2. P. C02016 (1-8)
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Previous works onchromium compensated gallium arsenide (GaAs:Cr) have shown high efficiency, good spatial and energy resolution, which is obviously connected with the high quality of material itself.
... More
Source: Infrared physics and technology. 2015. Vol. 71. P. 236-241
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Metal–insulator–semiconductor structures based on n-Hg1−xCdxTe (x = 0.19–0.25) were grown by molecular-beam epitaxy on the GaAs (0 1 3) substrates. Near-surface graded-gap layers with high CdTe conten
... More
Source: Opto-electronics review. 2015. Vol. 23, № 3. P. 200-207
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Studies of background donor concentration (BDC) in HgCdTe samples grown with different types of technology were performed with the use of ion milling as a means of eliminating the compensating accepto
... More
Source: Journal of instrumentation : electronic journal. 2015. Vol. 10, № 1. P. C01020 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
The investigation of the pulse height distribution and X-ray sensitivity depending on the contact material on high resistive chromium compensated gallium arsenide (HR GaAs:Cr) sensors is presented. So
... More
