Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Тяжев, Антон Владимирович

Add to Quick Collection   All 20 Results

Showing items 1 - 15 of 20.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 4. С. 16-21
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Проведено исследование временной динамики релаксации неравновесной концентрации носителей заряда в полупроводниковых кристаллах SI-GaAs:Cr и EL2-GaAs методом pump-probe-терагерцовой спектроскопии. Про ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 56-60
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Представлены результаты анализа структуры и фазового состава пленок оксида галлия, полученных ВЧ-магнетронным напылением. Показано, что в интервале 290-350 К рост проводимости пленок с повышением темп ... More
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия. Томск, 2016. С. 163-165
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия. Томск, 2016. С. 254-256
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Source: Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : тезисы докладов 17-й всероссийской молодежной конференции, 23-27 ноября 2015 года, Санкт-Петербург. СПб., 2015. С. 111
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 136-138
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Проведено моделирование распределения напряженности поля единичных образцов арсенид-галлиевых детекторов, компенсированных хромом. Проведено сравнение вольт-амперных характеристик, полученных эксперим ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 128-131
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Представлен детальный анализ температурных зависимостей вольт-амперных характеристик (ВАХ) сенсоров на основе арсенида галлия, компенсированного хромом (GaAs:Cr). На поверхности GaAs:Cr методом электр ... More

Date

^