Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
электрические характеристики

Add to Quick Collection   All 11 Results

Showing items 1 - 11 of 11.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Методы измерения подвижности носителей заряда в структурах на основе высокоомного арсенида галлия с глубокими центрами
Authors: Щербаков, Иван Дмитриевич | Зарубин, Андрей Николаевич | Скакунов, Максим Сергеевич | Толбанов, Олег Петрович | Трофимов, Михаил Сергеевич | Тяжев, Антон Владимирович | Шаймерденова, Лейла Калитаевна | Шемерянкина, Анастасия Владимировна
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 154-155
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Add   Электрические характеристики MWIR и LWIR nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Григорьев, Денис Валерьевич | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич
Source: Фотоника 2021 : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 4-8 октября 2021 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2021. С. 136
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Description: В докладе представлены результаты теоретического и экспериментального исследования электрических характеристик nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральных диапаз ... More
Add   Электрические характеристики полевого транзистора на основе пентацена
Authors: Терещенко, Евгений Васильевич
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XVI Российской научной студенческой конференции, Томск, 17–20 апреля 2018 г.. Томск, 2018. С. 230-231
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Add   Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на основе арсенида галлия : [монография]
Authors: Филонов, Николай Григорьевич | Ивонин, Иван Варфоломеевич
Type: монографии
Date: 2018
Description: В монографии на основе оригинальных представлений последовательно и всесторонне обсуждены различные аспекты природы электрофизических явлений структур с барьером Шоттки на GaAs. Внедрение в промышленн ... More
Add   Admittance measurements in the temperature range (8-77) K for characterization of MIS structures based on MBE n-Hg0.78Cd0.22Te with and without graded-gap layers
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M.
Source: Journal of physics and chemistry of solids. 2017. Vol. 102. P. 42-48
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Admittance of MIS structures based on MBE n-Hg1-xCdxTe (x=0.22–0.23) with Al2O3 as insulator is experimentally investigated for the cases of the presence and absence of near-surface graded-gap layers ... More
Add   Influence of infrared radiation on the electrical characteristics of the surface-barrier nanostructures based on MBE HgCdTe
Authors: Pociask-Bialy, Malgorzata | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Izhnin, Ihor I.
Source: EPJ Web of Conferences. 2017. Vol. 133. P. 02001 (1-4)
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Impact of illumination on the admittance of the MIS structures based on MBE Hg1-xCdxTe with graded-gap layers and single quantum wells was investigated. It is shown that for HgCdTe-based nanostructure ... More
Add   Effect of thermal annealing on electrical characteristics of Ga2Oy-GaAs structures
Authors: Kalygina, V. M. | Remizova, I. L. | Tolbanov, Oleg P. | Prudaev, Ilya A.
Source: The international workshop on UV materials and devices, July 27-31, 2016, Beijing, China. [S. l.], 2016. P. 88-89
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Add   Материалы, структуры и приборы полупроводниковой оптоэлектроники : учебное пособие : [для студентов старших курсов вузов по направлениям подготовки 03.03.03. – Радиофизика ; Физика, Электроника и наноэлектроника]
Authors: Гермогенов, Валерий Петрович
Date: 2015
Description: Допущено УМО по классическому университетскому образованию
Add   Характеристики приемной антенны комплекса зондирования ионосферы
Authors: Романов, Илья Владимирович | Митаев, Александр Анатольевич | Хаитов, Рустам Каримович | Кантышев, Алексей Валентинович | Колесник, Сергей Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 10/3. С. 58-61
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Описывается структура антенной решётки, предназначенной для угловых измерений радиосигнала, отражённого от ионосферы. Приводятся зависимости импеданса антенны от частоты диаграммы направленности. Расс ... More
Add   Влияние концентрации хлора на эффективность излучения XECL эксиплексной лампы
Authors: Соснин, Эдуард Анатольевич | Саги, Б. | Панарин, Виктор Александрович | Рахмани, Б. | Автаева, Светлана Владимировна
Source: Физика плазмы. 2013. Т. 39, № 9. С. 862-872
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Влияние отжига в аргоне на свойства пленок оксида галлия, полученных термическим напылением
Authors: Вишникина, Вера Валерьевна | Зарубин, Андрей Николаевич | Новиков, Владимир Александрович | Петрова, Юлианна Сергеевна | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Цупий, Светлана Юрьевна | Яскевич, Тамара Михайловна | Калыгина, Вера Михайловна
Source: Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 47, № 8. С. 1137-1143
Type: статьи в журналах
Date: 2013
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »

Creator

Date

Subject

Resource Type

^