Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
кремний

Add to Quick Collection   All 155 Results

Showing items 1 - 15 of 155.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Infrared photoresponse of GeSiSn p–i–n photodiodes based on quantum dots, quantum wells, pseudomorphic and relaxed layers
Authors: Timofeev, Vyacheslav A. | Skvortsov, Ilya V. | Mashanov, Vladimir I. | Bloshkin, Aleksei A. | Loshkarev, Ivan D. | Kirienko, Victor V. | Zalyalov, T. M. | Lozovoy, Kirill A.
Source: Nanotechnology. 2025. Vol. 36, № 13. P. 135201 (1-10)
Type: статьи в журналах
Date: 2025
Description: Structural and photoelectric properties of p–i–n photodiodes based on GeSiSn/Si multiple quantum dots (QDs) both on Si and silicon-on-insulator substrates were investigated. Elastic strained state of ... More
Add   Кинетика формирования сверхструктуры 2xN при эпитаксиальном росте Ge на Si(100)
Authors: Кукенов, Олжас Игоревич | Майер, Ксения Александровна | Бурнашов, Андрей Андреевич
Source: XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М., 2025. С. 285-286
Type: статьи в сборниках
Date: 2025
Description: В работе представлены результаты анализа гетероэпитаксиального роста Ge на Si(100) методом дифракции быстрых отраженных электронов. Исследована динамика длины димерных рядов сверхструктуры 2xN в проце ... More
Add   Эпитаксиальный синтез кремния и германия на графите
Authors: Дирко, Владимир Владиславович | Плотников, Никита Владимирович
Source: XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М., 2025. С. 283-284
Type: статьи в сборниках
Date: 2025
Description: В работе рассматривается эпитаксиальный рост кремния и германия на подложке высокоориентированного пиролитического графита (ВОПГ) непосредственно в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Анализ осажд ... More
Add   Ab initio расчеты энергий адсорбции атома кремния на крае и в изломах моноатомной ступени на поверхности Si(100)
Authors: Пидченко, Михаил Борисович
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XIX Российской студенческой конференции, посвященной 85-летию кафедры физики твердого тела физического факультета ТГУ (13-17 мая 2024 г.). Томск, 2024. С. 89-90
Type: статьи в сборниках
Date: 2024
Add   RHEED patterns from 2x1 and 1x2 superstructures during epitaxy of Si on Si(100)
Authors: Dyukov, I. Y. | Burnashov, A. A.
Source: Двадцать первая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 13−17 мая 2024 г. : сборник трудов. Томск, 2024. С. 128
Type: статьи в сборниках
Date: 2024
Description: This paper analyzes the growth of Si on Si (100) substrate in a wide temperature range by reflection high-energy electron diffraction method (RHEED) and studies its mechanisms.
Add   Изменение характера осцилляций картин ДБОЭ в зависимости от температуры при синтезе Si на Si(100)
Authors: Ворсин, Олег Игоревич | Кукенов, Олжас Игоревич
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XIX Российской студенческой конференции, посвященной 85-летию кафедры физики твердого тела физического факультета ТГУ (13-17 мая 2024 г.). Томск, 2024. С. 20
Type: статьи в сборниках
Date: 2024
Add   Моделирование поверхностной сегрегации Ge при молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов Ge-Si
Authors: Ишков, Арман Дмитриевич
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XIX Российской студенческой конференции, посвященной 85-летию кафедры физики твердого тела физического факультета ТГУ (13-17 мая 2024 г.). Томск, 2024. С. 48-49
Type: статьи в сборниках
Date: 2024
Add   Молекулярно-динамическое исследование механических характеристик покрытий системы TiAlTaSiN при варьировании концентрации компонентов
Authors: Волобуев, Александр Сергеевич
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XIX Российской студенческой конференции, посвященной 85-летию кафедры физики твердого тела физического факультета ТГУ (13-17 мая 2024 г.). Томск, 2024. С. 18-19
Type: статьи в сборниках
Date: 2024
Add   Определение зависимости длины диффузии атомов Si на поверхности при гомоэпитаксиальном росте на Si(100)
Authors: Кукенов, Олжас Игоревич | Дирко, Владимир Владиславович | Майер, Ксения Александровна
Source: Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы всероссийской конференции с международным участием, 10-13 сентября 2024 г.. Томск, 2024. С. 52
Type: статьи в сборниках
Date: 2024
Add   Расчет характеристик лавинных фотодиодов Ge/Si для атмосферного канала связи
Authors: Коханенко, Андрей Павлович | Диб, Хазем | Лозовой, Кирилл Александрович | Коротаев, Александр Григорьевич
Source: XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024 г., Москва, Россия : материалы конференции. М., 2024. С. 332-333
Type: статьи в сборниках
Date: 2024
Add   Сверхструктурные изменения на начальных стадиях напыления Ge/Si(100) в широком интервале температур
Authors: Гнеушев, Анатолий Владимирович | Дюков, Илья Юрьевич
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XIX Российской студенческой конференции, посвященной 85-летию кафедры физики твердого тела физического факультета ТГУ (13-17 мая 2024 г.). Томск, 2024. С. 25
Type: статьи в сборниках
Date: 2024
Add   Температурная зависимость роста кремния и германия на графите при молекулярно-лучевой эпитаксии
Authors: Ворсин, Олег Игоревич | Дирко, Владимир Владиславович | Лозовой, Кирилл Александрович
Source: Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы всероссийской конференции с международным участием, 10-13 сентября 2024 г.. Томск, 2024. С. 55
Type: статьи в сборниках
Date: 2024
Add   Investigation of the bimodal character of RHEED intensity oscillations during homoepitaxial growth of Si/Si(100)
Authors: Sokolov, А. S. | Kukenov, Olzhas I.
Source: Двадцатая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, г. Томск, 2–5 мая 2023 г.. Томск, 2023. С. 162-163
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Description: This paper presents a study of the bimodal character of the intensity oscillations of diffraction patterns obtained by the method of fast reflected electron diffraction during the epitaxial growth of ... More
Add   Peculiarities of the 7 × 7 to 5 × 5 superstructure transition during epitaxial growth of germanium on silicon (111) surface
Authors: Dirko, Vladimir V. | Lozovoy, Kirill A. | Kokhanenko, Andrey P. | Kukenov, Olzhas I. | Korotaev, Alexander G. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: Nanomaterials. 2023. Vol. 13, № 2. P. 231 (1-12)
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: This paper presents the results of studying the processes of epitaxial growth of germanium on silicon with crystallographic orientation (111) in a wide temperature range. The temperature dependences o ... More
Add   Release of labile Si from forest and agricultural soils
Authors: Lim, Artem G. | Pokrovsky, Oleg S. | Cornu, Sophie | Meunier, Jean-Dominiqu
Source: Catena. 2023. Vol. 229. P. 107211 (1-12)
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Despite the importance of silicon (Si) as benefecial nutrient for many plants, including economically-important cereals, the reactivity of various Si pools in soils (silicate minerals, amorphous compo ... More

Creator

Date

Subject

Resource Type

^