Кинетика формирования сверхструктуры 2xN при эпитаксиальном росте Ge на Si(100)

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Кинетика формирования сверхструктуры 2xN при эпитаксиальном росте Ge на Si(100)	387 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Кинетика формирования сверхструктуры 2xN при эпитаксиальном росте Ge на Si(100)
Title: Kinetics of 2xN superstructure formation during epitaxial growth of Ge on Si(100)
Creator: Кукенов, Олжас Игоревич
|
Майер, Ксения Александровна
|
Бурнашов, Андрей Андреевич
Date: 2025
Description: В работе представлены результаты анализа гетероэпитаксиального роста Ge на Si(100) методом дифракции быстрых отраженных электронов. Исследована динамика длины димерных рядов сверхструктуры 2xN в процессе роста для широкого диапазона температур 200 - 750 °C. Экспериментально установлены зависимости количества монослоев Ge, необходимые для появления рефлекса 1/N, и количества монослоев Ge до выхода параметра 1/N на максимальное значение от температуры, а также получены зависимости изменения N в процессе роста для разных температур синтеза.

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Relation: XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов
Type: статьи в сборниках
Source: XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М., 2025. С. 285-286
Language: rus

Created: 17-09-2025

96 Visitors

72 Hits

30 Downloads

Радиофизический факультет Кинетика формирования сверхструктуры 2xN при эпитаксиальном росте Ge на Si(100)