Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
статьи в журналах | молекулярно-лучевая эпитаксия

Add to Quick Collection   All 173 Results

Showing items 31 - 45 of 173.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 2. С. 10-14
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Продемонстрирована фотолюминесценция нанокристаллов Si, встроенных в диэлектрическую матрицу CaF2 в структурах (Si+CaF2)/CaF2/Si(111). Люминесценция наблюдалась при комнатной температуре в видимом диа ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 8. С. 115-121
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Впервые получен гибридный материал, который включает оксиды олова поверх структуры с множественными квантовыми ямами Ge0.3Si0.7–ySny/Si. Оксиды олова, такие, как SnO и SnO2, формировались в результате ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 5. С. 3-8
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Изготовлены два вида длинноволновых nBn-структур на основе теллурида кадмия и ртути, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs(013). Для каждого вида приборов боковые стен ... More
Source: Russian physics journal. 2020. Vol. 63, № 3. P. 432-445
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: The results of studying the admittance of unipolar barrier structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy (MBE) on GaAs (013) substrates are presented. Using passivation with an Al2O3 insu ... More
Source: Semiconductor science and technology. 2020. Vol. 35, № 5. P. 055026 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Metal-insulator-semiconductor (MIS) structures were fabricated by depositing an Al2O3 dielectric on
Source: Surface and coatings technology. 2020. Vol. 392. P. 125760 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Metal–insulator–semiconductor (MIS) structures based on HgCdTe were fabricated after various stages of pn
Source: Applied nanoscience. 2020. Vol. 10, № 8. P. 2489-2494
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Hg1−xCdxTe grown by molecular beam epitaxy including HgTe single quantum well (SQW) with thickness of 6.5 nm were
Source: Applied surface science. 2020. Vol. 512. P. 145735 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: SnO and SnO2 films were obtained on the SiO2 surface by the molecular-beam epitaxy method. The initial films
Source: Russian physics journal. 2020. Vol. 63, № 2. P. 296-302
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Epitaxial growth of germanium quantum dots on an oxidized silicon surface is considered. A kinetic model of
Source: Applied nanoscience. 2020. Vol. 10, № 8. P. 2527-2533
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: In the present paper, for the first time, the influence of interactions between 3D islands during epitaxial growth of quantum dots by Stranski–Krastanov mechanism is considered in the frames of kineti ... More
Source: Journal of electronic materials. 2020. Vol. 49, № 5. P. 3202-3208
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Heteroepitaxial n-Hg0.78Cd0.22Te films with near-surface graded-gap layers
Source: Applied nanoscience. 2020. Vol. 10, № 8. P. 2867-2871
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Bright-field and high-resolution transmission electron microscopy and microdiffraction have been used for the study of defects in two HgTe/HgCdTe single quantum well (QW) structures grown by molecular ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 3. С. 76-87
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Представлены результаты исследований адмиттанса униполярных барьерных структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из GaAs (013). С использованием па ... More
Source: Прикладная физика. 2020. № 1. С. 25-31
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Изучены темновые токи в средневолновых nBn-структурах на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs (013). Пассивация поверхности боковых стенок мезаструктур ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 6. С. 8-15
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Изготовлены три вида nBn -структур на основе теллурида кадмия - ртути, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В качестве барьерных слоев в nBn -структурах использовался Hg1-x Cd x Te при x ... More

Date

^