Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
вольт-амперные характеристики

Add to Quick Collection   All 36 Results

Showing items 16 - 30 of 36.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Low-temperature transport of charge carriers in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes
Authors: Prudaev, Ilya A. | Tolbanov, Oleg P. | Khludkov, Stanislav
Source: Physica status solidi A. 2015. Vol. 212, № 5. P. 930-934
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The results of experimental investigation of forward current-voltage characteristics of InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes are presented. A new model for explaining the complex curr ... More
Add   Анализ работы многорельсового электромагнитного ускорителя твердых тел с прямым питанием от импульсной магнитогидродинамической установки
Authors: Афонин, Антон Геннадьевич | Панченко, Виктор Петрович | Синяев, Сергей Витальевич | Солоненко, Виктор Александрович | Швецов, Геннадий Анатольевич | Якушев, Андрей Андреевич | Бутов, Владимир Григорьевич
Source: Прикладная механика и техническая физика. 2015. Т. 56, № 5. С. 92-101
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Влияние размеров контактов на вольт-амперные характеристики арсенид галлиевых детекторов, компенсированных хромом
Authors: Шаймерденова, Лейла Калитаевна | Тяжев, Антон Владимирович
Source: Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : тезисы докладов 17-й всероссийской молодежной конференции, 23-27 ноября 2015 года, Санкт-Петербург. СПб., 2015. С. 111
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Измерение высоты потенциального барьера сенсоров на основе GaAs:Cr методом энергии активации
Authors: Щербаков, Иван Дмитриевич
Source: Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 12-13 июня 2015 г.. Томск, 2015. С. 58-59
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Исследование влияния размеров контактов на вольт-амперные характеристики GaAs детекторов
Authors: Шаймерденова, Лейла Калитаевна
Source: Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 12-13 июня 2015 г.. Томск, 2015. С. 51-54
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Исследование низкотемпературных электрических характеристик светодиодов из AlGaInP
Authors: Олейник, Владимир Леонидович | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 138-140
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Нелинейные свойства полупроводникового диода в импульсном режиме
Authors: Быков, Александр Геннадьевич | Лосев, Дмитрий Витальевич | Бардашов, Дмитрий Сергеевич
Source: Электроника и микроэлектроника СВЧ : сборник статей IV Всероссийской научно-технической конференции, Санкт-Петербург, СПбГЭТУ, 1-4 июня 2015. СПб., 2015. Т. 2. С. 16-20
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Расчет электрических характеристик детекторных структур на основе арсенида галлия
Authors: Зенкова, Анастасия Дмитриевна
Source: Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 12-13 июня 2015 г.. Томск, 2015. С. 16-17
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом
Authors: Зарубин, Андрей Николаевич | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Щербаков, Иван Дмитриевич | Лозинская, Анастасия Дмитриевна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 128-131
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Представлен детальный анализ температурных зависимостей вольт-амперных характеристик (ВАХ) сенсоров на основе арсенида галлия, компенсированного хромом (GaAs:Cr). На поверхности GaAs:Cr методом электр ... More
Add   Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом
Authors: Щербаков, Иван Дмитриевич | Лозинская, Анастасия Дмитриевна
Source: Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : тезисы докладов 17-й всероссийской молодежной конференции, 23-27 ноября 2015 года, Санкт-Петербург. СПб., 2015. С. 110
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Электролюминесценция галогеновых комплексов с одновалентной медью: ОСИД-устройства и DFT-моделирование
Authors: Валиев, Рашид Ринатович | Гадиров, Руслан Магомедтахирович | Никонова, Елена Николаевна | Солодова, Татьяна Александровна | Никонов, Сергей Юрьевич | Бушуев, Марк Борисович | Копылова, Татьяна Николаевна | Минаев, Борис Филиппович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 9. С. 3-8
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Изучены спектроскопические характеристики синтезированных комплексов Cu[I] с галогенами с использованием метода TDDFT/CAM-B3LYP. Показано, что электронные переходы S0→S1 и S0→T1 являются переходами с ... More
Add   Низкотемпературные вольт-амперные характеристики AlGaInP светодиодов
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Рябоштан, Юрий Леонидович | Горлачук, Павел Владимирович | Олейник, Владимир Леонидович
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XIV Российской научной студенческой конференции, 13–15 мая 2014 г., Томск, Россия. Томск, 2014. С. 142-144
Type: статьи в сборниках
Date: 2014
Add   Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1-x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Иван Сергеевич | Рябоштан, Юрий Леонидович | Горлачук, Павел Владимирович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Олейник, Владимир Леонидович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 7. С. 48-51
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1–x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P
Authors: Олейник, Владимир Леонидович | Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Рябоштан, Юрий Леонидович | Горлачук, Павел Владимирович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 7. С. 48-51
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Бактыбаев, Азамат Абдухашимулы | Романов, Иван Сергеевич | Зубрилкина, Юлия Леонидовна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 9. С. 88-89
Type: статьи в журналах
Date: 2014

Creator

Date

Subject

Resource Type

^