Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
вольт-амперные характеристики

Add to Quick Collection   All 36 Results

Showing items 1 - 15 of 36.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55, № 3. С. 269-276
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Исследовано влияние влажности окружающей среды на электрическую проводимость структур a-Ga2O3 и a-Ga2O3/"-Ga2O3. Полиморфные эпитаксиальные слои Ga2O3 осаждались методом хлоридной газофазной эпитаксии ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 10. С. 109-116
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Представлены результаты исследований процессов генерации импульсных пучково-плазменных образований в сильноточном несамостоятельном тлеющем разряде с полым катодом при низком (0.025–0.25 Па) давлении. ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 2. С. 110-116
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: В рамках теории функционала электронной плотности и метода неравновесных гриновских функций (LSDA+NEGF) определены спектры пропускания, вольт-амперные характеристики (ВАХ), дифференциальная проводимос ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 6. С. 118-124
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: Экспериментально исследованы вольт-амперные характеристики nBn- структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из GaAs, в диапазоне температур 9-300 К. ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 9. С. 113-116
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: Получены значения высот барьеров Шоттки в системах М/ n -(SiC)1- x (AlN) x в предположении высокой плотности поверхностных состояний в области контакта металл (М) и твердый раствор SiC-AlN. Рассчитаны ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 1. С. 171-176
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Проведена оценка внутренней емкости сенсибилизированных солнечных элементов (ССЭ), полученных растворным экстракционно-пиролитическим методом. Для исследуемых структур характерной особенностью являетс ... More
Source: Труды Четырнадцатой Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-18 мая 2017 г.. Томск, 2017. С. 113-116
Type: статьи в сборниках
Date: 2017
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия. Томск, 2016. С. 194-196
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия. Томск, 2016. С. 254-256
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Source: Труды XIII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-18 мая 2016 г.. Томск, 2016. С. 38-39
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 2. С. 115-119
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description: Представлены результаты экспериментальных исследований зависимости удельного сопротивления, эффективности сбора заряда, произведения подвижности на время жизни (μ×τ)n и вольт-амперных характеристик от ... More
Source: Системы связи и радионавигации : сборник тезисов. Красноярск, 2016. С. 285-288
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 9. С. 80-86
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description: Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления и вольт-амперных характеристик аморфных тонких пленок на основе материалов системы Ge–Sb–Te составов GeSb₄Te₇ (GST147), GeSb₂Te₄ (GST124), ... More
Source: Russian physics journal. 2015. Vol. 57, № 9. P. 1246-1250
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The results of experimental studies of forward current–voltage characteristics of blue LEDs with an active region consisting of the multiple InGaN/GaN quantum wells are presented. A model explaining t ... More

Date

^