Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
2015 | квантовые точки

This page is only showing items within the active collection. You can remove the filter by clicking here.

Add to Quick Collection   All 19 Results

Showing items 1 - 15 of 19.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges
Authors: Kokhanenko, Andrey P. | Lozovoy, Kirill A. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : 25-я Международная Крымская конференция (КрыМиКо'2015), 6-12 сентября 2015 г., Севастополь, Крым, Россия : материалы конференции : в 2 т.. М. [и др.], 2015. Т. 2. С. 709-710
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Generalized Muller-Kern formula for equilibrium thickness of a wetting layer with respect to the dependence of the surface energy of island facets on the thickness of the 2D layer
Authors: Lozovoy, Kirill A. | Kokhanenko, Andrey P. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: Physical chemistry chemical physics. 2015. Vol. 17, № 44. P. 30052-30056
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Experimental results indicate a particular importance of such a value as the equilibrium thickness of the wetting layer during epitaxial growth according to the Stranski–Krastanow mechanism in systems ... More
Add   Generation of terahertz radiation in LED heterostructures with multiple InGaN/GaN quantum wells at two-photon excitation by femtosecond
Authors: Prudaev, Ilya A. | Tolbanov, Oleg P. | Kosobutsky, Alexey V. | Sarkisov, Sergey Yu.
Source: Russian physics journal. 2015. Vol. 58, № 2. P. 192-197
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The results of experiments on the generation of terahertz radiation in the nitride LED structures at optical excitation by ultrashort laser pulses are presented. The dependences of the emission spectr ... More
Add   Hopping transport of charge carriers in LEDs based on multiple InGaN/GaN quantum wells
Authors: Prudaev, Ilya A. | Baktybaev, A. A. | Romanov, I. S. | Zubrilkina, Yu. L.
Source: Russian physics journal. 2015. Vol. 57, № 9. P. 1246-1250
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The results of experimental studies of forward current–voltage characteristics of blue LEDs with an active region consisting of the multiple InGaN/GaN quantum wells are presented. A model explaining t ... More
Add   Influence of edge energy on modeling the growth kinetics of quantum dots
Authors: Lozovoy, Kirill A. | Kokhanenko, Andrey P. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: Crystal growth and design. 2015. Vol. 15, № 3. P. 1055-1059
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy
Authors: Satdarov, Vadim G. | Kokhanenko, Andrey P. | Lozovoy, Kirill A. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: International Journal of Nanotechnology. 2015. Vol. 12, № 3/4. P. 285-296
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods
Authors: Korotaev, A. G. | Kokhanenko, Andrey P. | Nikiforov, A. I. | Pishchagin, A. A.
Source: СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : 25-я Международная Крымская конференция (КрыМиКо'2015), 6-12 сентября 2015 г., Севастополь, Крым, Россия : материалы конференции : в 2 т.. М. [и др.], 2015. Т. 2. С. 707-708
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Альтернативные технологии создания структур с квантовыми точками Ge/Si
Authors: Кульчицкий, Николай Александрович | Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Мельников, Александр Александрович (доктор физ.-мат. наук)
Source: Вакуумная техника, материалы и технология : материалы X международной научно-технической конференции (Москва, КВЦ "Сокольники", 2015, 14-16 апреля). М., 2015. С. 243-248
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Анализ улучшения параметров солнечных элементов на основе Si/Ge при внедрении массива квантовых точек Ge
Authors: Пищагин, Антон Александрович | Кокорина, Виктория Валерьевна
Source: ВНКСФ-21 : Двадцать первая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых, Россия : материалы конференции : информационный бюллетень. Омск, 2015. С. 202-203
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Влияние параметров синтеза гетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge на морфологию массива квантовых точек Ge
Authors: Пищагин, Антон Александрович | Серохвостов, Вячеслав Юрьевич
Source: ВНКСФ-21 : Двадцать первая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых, Россия : материалы конференции : информационный бюллетень. Омск, 2015. С. 201-202
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Влияние удельной энергии ребер на параметры массива квантовых точек германия на кремнии
Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Пищагин, Антон Александрович
Source: Материалы 53-й Международной научной студенческой конференции МНСК-2015, 11-17 апреля 2015 г. Квантовая физика. Новосибирск, 2015. С. 33
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Исследование Si/Ge p-i-n структур с квантовыми точками Ge методом адмиттансной спектроскопии
Authors: Пищагин, Антон Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич | Никифоров, Александр Иванович | Лозовой, Кирилл Александрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 241-243
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge
Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 231-234
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: В работе описывается кинетическая модель роста квантовых точек германия на кремнии по механизму Странского–Крастанова, учитывающая зависимость удельной поверхностной энергии граней пирамиды от толщины ... More
Add   Наноструктуры с квантовыми ямами и квантовыми точками - элементная база фотоэлектроники и фотовольтаики
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич | Лозовой, Кирилл Александрович
Source: Фотоника нано- и микроструктур (ФНМС-2015) : материалы 3-й международной Школы-семинара молодых ученых "Фотоника нано- и микроструктур" (ФНМС-2015), 7-11 сентября 2015 г., г. Томск. Томск, 2015. С. 7
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Оптические и фотоэлектрические свойства наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Мельников, Александр Александрович (доктор физ.-мат. наук) | Несмелов, Сергей Николаевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Сатдаров, Вадим Газизович | Кульчицкий, Николай Александрович
Source: Нано- и микросистемная техника. 2015. № 3. С. 31-41
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Представлен анализ научно-технической литературы по оптическим и фотоэлектрическим свойствам наногетероструктур Ge/Si. Описаны особенности полупроводниковых структур с наноразмерными включениями, их о ... More

Creator

Subject

Resource Type

^