Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy	2 MB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy
Creator: Satdarov, Vadim G.
|
Kokhanenko, Andrey P.
|
Lozovoy, Kirill A.
|
Voytsekhovskiy, Alexander V.
Contributor: Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
-: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники
-: Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ
Date: 2015

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет | Сибирский физико-технический институт
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Rights: Resource access is available in the premises of Research Library
Type: статьи в журналах
Source: International Journal of Nanotechnology. 2015. Vol. 12, № 3/4. P. 285-296
Language: eng

Created: 05-03-2015

5242 Visitors

5272 Hits

33 Downloads

Радиофизический факультет Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy