Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods	2 MB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods
Creator: Korotaev, A. G.
|
Kokhanenko, Andrey P.
|
Nikiforov, A. I.
|
Pishchagin, A. A.
Contributor: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники
-: Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
-: Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ
Date: 2015

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет | Сибирский физико-технический институт | Научное управление
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в сборниках
Source: СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : 25-я Международная Крымская конференция (КрыМиКо'2015), 6-12 сентября 2015 г., Севастополь, Крым, Россия : материалы конференции : в 2 т.. М. [и др.], 2015. Т. 2. С. 707-708
Language: eng