Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges	750 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges
Creator: Kokhanenko, Andrey P.
|
Lozovoy, Kirill A.
|
Voytsekhovskiy, Alexander V.
Contributor: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники
-: Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ
-: Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Date: 2015

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Сибирский физико-технический институт | Радиофизический факультет
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в сборниках
Source: СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : 25-я Международная Крымская конференция (КрыМиКо'2015), 6-12 сентября 2015 г., Севастополь, Крым, Россия : материалы конференции : в 2 т.. М. [и др.], 2015. Т. 2. С. 709-710
Language: eng