Исследование Si/Ge p-i-n структур с квантовыми точками Ge методом адмиттансной спектроскопии

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Исследование Si/Ge p-i-n структур с квантовыми точками Ge методом адмиттансной спектроскопии	601 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Исследование Si/Ge p-i-n структур с квантовыми точками Ge методом адмиттансной спектроскопии
Creator: Пищагин, Антон Александрович
|
Коханенко, Андрей Павлович
|
Войцеховский, Александр Васильевич
|
Никифоров, Александр Иванович
|
Лозовой, Кирилл Александрович
Contributor: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники
-: Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
-: Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ
Date: 2015

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет | Сибирский физико-технический институт | Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 241-243
Language: rus

Created: 28-01-2016

2569 Visitors

2204 Hits

406 Downloads

Журналы ТГУ Исследование Si/Ge p-i-n структур с квантовыми точками Ge методом адмиттансной спектроскопии