Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета

Add to Quick Collection   All 39 Results

Showing items 31 - 39 of 39.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN
Authors: Голыгин, Илья Юрьевич | Новиков, Вадим Александрович | Данюк, Денис Борисович | Скакунов, Максим Сергеевич | Толбанов, Олег Петрович | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 101-102
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Нитрид галлия в качестве материала для спинтроники
Authors: Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8. С. 44-49
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Оптимизация технологических параметров роста пленок GaN:Mg
Authors: Мармалюк, Александр Анатольевич | Курешов, Владимир Александрович | Мазалов, Александр Владимирович | Сабитов, Дамир Равильевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Романов, Иван Сергеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 58-59
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Особенности энергетического спектра электронов гексагонального GaN и его твердых растворов YxGa1–xN (Y ≡ B, Al, In)
Authors: Литинский, Аркадий Овсеевич | Новиков, Сергей Игоревич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 7. С. 23-28
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Description: Расчетная схема на основе теории функционала плотности, модифицированная на случай структур с трансляционной симметрией, применена к исследованию энергетического спектра электронов гексагонального нит ... More
Add   Пассивные МИС для создания СВЧ-усилителей мощности на основе дискретных GaN-транзисторов
Authors: Айзенштат, Геннадий Исаакович | Монастырев, Евгений Александрович | Божков, Владимир Григорьевич | Иващенко, Анна Ивановна | Ющенко, Алексей Юрьевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 130-132
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Температурная зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции светодиодных структур на основе InGaN/GaN
Authors: Пономарев, Иван Викторович | Романов, Иван Сергеевич | Копьев, Виктор Васильевич | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 89-90
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN
Authors: Веревкин, Сергей Сергеевич | Говорков, А. В. | Ермаков, В. С. | Колин, Николай Георгиевич | Корулин, Алексей Викторович | Поляков, А. Я. | Смирнов, Н. Б. | Брудный, Валентин Натанович
Source: Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46, вып. 4. С. 450-456
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Электрофизические свойства облученных электронами эпитаксиальных пленок GaN1
Authors: Веревкин, Сергей Сергеевич | Колин, Николай Георгиевич | Корулин, Алексей Викторович | Брудный, Валентин Натанович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. № 1. С. 47-51
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Ограничение тока в светодиодах на основе нитридов A3B5 при прямом смещении
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Толбанов, Олег Петрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 12. С. 66-68
Type: статьи в журналах
Date: 2011

Creator

Date

Subject

Resource Type

^