Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета

Add to Quick Collection   All 7 Results

Showing items 1 - 7 of 7.
  • «
  • 1
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 12. С. 14-20
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Представлены результаты исследований характеристик контактов с барьерами Шоттки на псевдоморфной гетероструктуре AlGaAs/InGaAs. Диоды Шоттки с барьером на основе Ti создавались по стандартной pHEMT-те ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 9. С. 34-39
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description: В диапазоне температур 200–400 К измерены зависимости средней дрейфовой скорости электронов от напряженности электрического поля для двумерного электронного газа в квантовой яме гетероструктуры AlGaAs ... More
  • «
  • 1
  • »
^