Please be patient while the object screen loads.
Электронная библиотека (репозиторий)
Томского государственного университета
English
Русский
Home
Show
All
Show
Quick Collection
Browse ↓
Communities & Collections
By Title
By Creator
By Subject
By Date
Additional Resources
Search History
Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
-
Сделать пожертвование
-
Advanced Search
Preview
Add to "Quick Collection"
Description
Size
Format
Температурная зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции светодиодных структур на основе InGaN/GaN
544 KB
Adobe Acrobat PDF
Read
Download
#фотолюминесценция
#нитрид галлия
#светодиоды
#гетероструктуры
Title
Температурная зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции светодиодных структур на основе InGaN/GaN
Creator
Пономарев, Иван Викторович
|
Романов, Иван Сергеевич
|
Копьев, Виктор Васильевич
|
Прудаев, Илья Анатольевич
Contributor
Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники
-
Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ
Date
2012
Relationships
Show Relationship Browser for this Object
collection(s)
Радиофизический факультет
|
Журналы ТГУ
Identifier
смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type
статьи в журналах
Source
Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 89-90
Language
rus
Created: 23-04-2013
1384 Visitors
1026 Hits
371 Downloads
Радиофизический факультет
Журналы ТГУ
Температурная зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции светодиодных структур на основе InGaN/GaN
^ DIV >