Add to Quick Collection
All 96 Results
Showing items 1 - 15 of 96.
Add All Items to Quick Collection
Source: Письма в журнал технической физики. 2025. Т. 51, № 4. С. 23-26
Type: статьи в журналах
Date: 2025
Description:
Представлены результаты экспериментального исследования влияния температуры на напряжение переключения лавинного S-диода, изготовленного из GaAs с примесью железа. Установлено, что рост температуры мо
... More
Source: Двадцать первая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 13−17 мая 2024 г. : сборник трудов. Томск, 2024. С. 129-130
Type: статьи в сборниках
Date: 2024
Description:
An important stage in the development and design of semiconductor detectors is carrying out scientific research to study the mechanisms of current flow in semiconductor sensors when exposed to ionizin
... More
Source: Двадцать первая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 13−17 мая 2024 г. : сборник трудов. Томск, 2024. С. 33-36
Type: статьи в сборниках
Date: 2024
Description:
В настоящей работе представлены результаты измерений и моделирования вольт-амперных характеристик матричных сенсоров на основе высокоомного арсенида галлия, компенсированного хромом. Установлено, что
... More
Source: Двадцать первая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 13−17 мая 2024 г. : сборник трудов. Томск, 2024. С. 19-21
Type: статьи в сборниках
Date: 2024
Description:
В работе представлены результаты расчета и экспериментальных исследований распределения удельного сопротивления и времени жизни носителей заряда в пластинах арсенида галлия, компенсированного хромом (
... More
Source: Двадцать первая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 13−17 мая 2024 г. : сборник трудов. Томск, 2024. С. 13-14
Type: статьи в сборниках
Date: 2024
Description:
В работе представлены результаты расчета эффективности сбора заряда и отношения сигнал/шум сенсоров на основе арсенида галлия, компенсированного хромом (HR GaAs:Cr). Расчетным путем установлено, что о
... More
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 163-164
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 1. С. 56-66
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
Представлен обзор литературы по магнитным свойствам арсенида галлия, легированного марганцем (GaMnAs), с включениями нанокластеров. Экспериментальные исследования однозначно показали, что GaMnAs с вкл
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 2. С. 14-22
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
Представлен обзор работ по магнитным свойствам арсенида галлия, легированного марганцем (GaMnAs), с включениями нанокластеров. Экспериментальные исследования однозначно показали, что GaMnAs с включени
... More
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 173-174
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 154-155
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 181
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 282-283
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Source: Двадцатая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, г. Томск, 2–5 мая 2023 г.. Томск, 2023. С. 40-41
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Description:
Одним из важнейших электрофизических параметров полупроводниковых материалов, определяющих быстродействие как полупроводниковых детекторов, так и, в целом, всех приборов микроэлектроники, является дре
... More
Source: Двадцатая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, г. Томск, 2–5 мая 2023 г.. Томск, 2023. С. 66-67
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Description:
В данной работе исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/n(p)-GaAs. При работе на постоянном сигнале образцы проявляют свойства фотодиода и способны работать в автон
... More
Source: Russian physics journal. 2022. Vol. 64, № 12. P. 2350-2356
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
A study of the formation of dislocations in the process of impurity diffusion in GaAs has been carried out. The formation of dislocations in GaAs diffusion layers doped with various impurities (elemen
... More
