Моделирование распределения электрофизических параметров по пластине арсенида галлия, компенсированного хромом

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Моделирование распределения электрофизических параметров по пластине арсенида галлия, компенсированного хромом	677 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Моделирование распределения электрофизических параметров по пластине арсенида галлия, компенсированного хромом
Creator: Косухин, Константин Михайлович
Date: 2024
Description: В работе представлены результаты расчета и экспериментальных исследований распределения удельного сопротивления и времени жизни носителей заряда в пластинах арсенида галлия, компенсированного хромом (HR GaAs:Cr), полученных путем высокотемпературной диффузии хрома в пластины арсенида галлия электронного типа проводимости (n-GaAs). Продемонстрировано, что неоднородность распределения удельного сопротивления и времени жизни носителей заряда определяется, в частности, неоднородностью распределения донорной примеси в пластинах n-GaAs.

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в сборниках
Source: Двадцать первая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 13−17 мая 2024 г. : сборник трудов. Томск, 2024. С. 19-21
Language: rus

Created: 02-12-2024

218 Visitors

140 Hits

79 Downloads

Радиофизический факультет Моделирование распределения электрофизических параметров по пластине арсенида галлия, компенсированного хромом