Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
статьи в журналах | эпитаксиальные пленки

Add to Quick Collection   All 38 Results

Showing items 1 - 15 of 38.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Journal of Physics: Conference Series. 2016. Vol. 741. P. 012097 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description: In this work the experimental results of investigations of the dynamics of accumulation and spatial distribution of electrically active radiation defects when irradiating epitaxial films of Hg1-xCdxTe ... More
Source: Surface and coatings technology. 2020. Vol. 387. P. 125527 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: In this work the results of the experimental investigation of the influence of the high-frequency nanosecond
Source: Physical Review B. 2017. Vol. 95, № 20. P. 205429-1-205429-9
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Using surface x-ray diffraction and scanning tunneling microscopy in combination with first-principles calculations, we have studied the geometric and electronic structure of Cs-deposited Bi2Se3(0001) ... More
Source: Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 830. P. 012082 (1-4)
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: The effect of a high-frequency nanosecond volume discharge forming in an inhomogeneous electrical field at atmospheric pressure on the CdHgTe (CMT) epitaxial films is studied. The measurement of the e ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 6. С. 118-124
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: Экспериментально исследованы вольт-амперные характеристики nBn- структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из GaAs, в диапазоне температур 9-300 К. ... More
Source: Journal of Physics: Conference Series. 2016. Vol. 741. P. 012098 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description: In this paper the influence of the volume discharge of nanosecond duration formed in a non-uniform electric field at atmospheric pressure on samples of epitaxial films HgCdTe (MCT) of p-type conductiv ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 7. С. 81-85
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Представлены результаты исследований по синтезу гетероструктур на основе материалов Ge–Si–Sn методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. Формирование эпитаксиальных пленок контролировало ... More
Source: Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55, № 3. С. 269-276
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Исследовано влияние влажности окружающей среды на электрическую проводимость структур a-Ga2O3 и a-Ga2O3/"-Ga2O3. Полиморфные эпитаксиальные слои Ga2O3 осаждались методом хлоридной газофазной эпитаксии ... More
Source: Applied nanoscience. 2020. Vol. 10, № 12. P. 4971-4976
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Optical reflectance and bright-field and high-resolution transmission electron microscopy studies of radiation damage induced
Source: Journal of Physics: Conference Series. 2015. Vol. 652. P. 012025 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: In this paper the influence of the plasma volume discharge of nanosecond duration formed in a non-uniform electric field at atmospheric pressure on samples of epitaxial films HgCdTe (MCT) films are di ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 198-201
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Определены значения концентраций основных носителей заряда в приповерхностных варизонных слоях полупроводника из измерений адмиттанса МДП-структур на основе n ( p )-HgCdTe, выращенного методом молекул ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 8/2. С. 132-136
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Представлены экспериментальные результаты исследования влияния высокочастотного наносекундного диффузного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиальных пленок КР ... More

Date

^