Add to Quick Collection
All 9 Results
Showing items 1 - 9 of 9.
Add All Items to Quick Collection
Source: Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51, вып. 2. С. 240-246
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
В работе исследованы зависимости квантового выхода от температуры и уровня возбуждения для светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN. Эксперимент проводился для двух режимов возбужден
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 7. С. 110-113
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 5. С. 53-56
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Представлены результаты исследования температурной зависимости квантового выхода светодиодных
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 4. С. 99-101
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 5. С. 85-88
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 7. С. 33-35
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 101-102
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 89-90
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 12. С. 66-68
Type: статьи в журналах
Date: 2011