Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
нитрид галлия | 2015

Add to Quick Collection   All 16 Results

Showing items 1 - 15 of 16.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Generation of terahertz radiation in LED heterostructures with multiple InGaN/GaN quantum wells at two-photon excitation by femtosecond
Authors: Prudaev, Ilya A. | Tolbanov, Oleg P. | Kosobutsky, Alexey V. | Sarkisov, Sergey Yu.
Source: Russian physics journal. 2015. Vol. 58, № 2. P. 192-197
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The results of experiments on the generation of terahertz radiation in the nitride LED structures at optical excitation by ultrashort laser pulses are presented. The dependences of the emission spectr ... More
Add   Hopping transport of charge carriers in LEDs based on multiple InGaN/GaN quantum wells
Authors: Prudaev, Ilya A. | Baktybaev, A. A. | Romanov, I. S. | Zubrilkina, Yu. L.
Source: Russian physics journal. 2015. Vol. 57, № 9. P. 1246-1250
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The results of experimental studies of forward current–voltage characteristics of blue LEDs with an active region consisting of the multiple InGaN/GaN quantum wells are presented. A model explaining t ... More
Add   Led InGaN/GaN structures with short-period superlattice grown on flat and patterned sapphire substrates
Authors: Romanov, I. S. | Brudnyi, Valentin N. | Kopyev, V. V. | Novikov, Vadim A. | Marmalyuk, A. A. | Kureshov, V. A. | Sabitov, D. R. | Mazalov, A. V. | Prudaev, Ilya A.
Source: Russian physics journal. 2015. Vol. 57, № 11. P. 1604-1608
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The results of studies of blue LED InGaN/GaN heterostructures with a short-period InGaN/GaN superlattice in front of an active region of the structure grown on flat and patterned Al2O3 substrates are ... More
Add   Low-temperature transport of charge carriers in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes
Authors: Prudaev, Ilya A. | Tolbanov, Oleg P. | Khludkov, Stanislav
Source: Physica status solidi A. 2015. Vol. 212, № 5. P. 930-934
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The results of experimental investigation of forward current-voltage characteristics of InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes are presented. A new model for explaining the complex curr ... More
Add   Photoluminescence and terahertz generation in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diode heterostructures under laser excitation
Authors: Prudaev, Ilya A. | Tolbanov, Oleg P. | Kosobutsky, Alexey V. | Sarkisov, Sergey Yu.
Source: Physica status solidi B. 2015. Vol. 252, № 5. P. 946-951
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: In this paper the results of experiments on terahertz generation from nitride light-emitting diode heterostructures under twophoton excitation by femtosecond laser pulses are reported. Dependencies of ... More
Add   Temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN led structures at high current density
Authors: Prudaev, Ilya A. | Romanov, I. S. | Brudnyi, V. N. | Kopyev, V. V.
Source: Russian physics journal. 2015. Vol. 58, № 5. P. 641-645
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Temperature dependence of quantum efficiency of blue LED structures based on multiple InGaN/GaN quantum wells is studied at different forward currents. At high current densities, an increase in the qu ... More
Add   The surface roughening of GaN by wet chemical etching
Authors: Zasukhin, D. I. | Kokhanenko, Andrey P. | Kharapudchenko, Olga V. | Karimbaev, D. D.
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 10/3. С. 240-242
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Enhancing the light extraction efficiency is an important problem in the manufacturing of GaN-based LEDs. Many methods have been carried out to increase the external efficiency, including roughening t ... More
Add   Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики
Authors: Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Копьев, Виктор Васильевич | Новиков, Вадим Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 7. С. 110-113
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Генерация терагерцового излучения в светодиодных гетероструктурах со множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при двухфотонном возбуждении фемтосекундными лазерными импульсами
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Кособуцкий, Алексей Владимирович | Саркисов, Сергей Юрьевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 2. С. 47-51
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 271-273
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Моделирование методом Монте-Карло вывода излучения из светодиодной структуры с текстурированными интерфейсами
Authors: Зубков, Василий Иванович | Евсеенков, Антон Сергеевич | Орлова, Татьяна Алексеевна | Зубкова, Анна Васильевна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8. С. 123-130
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Разработана математическая модель вывода излучения из светодиода на базе корпускулярного метода Монте-Карло. В результате моделирования светодиодных структур получены закономерности по влиянию границ ... More
Add   Нитрид галлия: уровень зарядовой нейтральности и границы раздела
Authors: Брудный, Валентин Натанович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 11. С. 121-126
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Анализ экспериментальных данных выявил зависимость высоты барьера металл/n-GaN GaN(0001) от работы выхода металла, как и предсказывает модель, которая учитывает уровень зарядовой нейтральности полупро ... More
Add   Падение эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
Authors: Копьев, Виктор Васильевич | Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 135-137
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Представлены результаты анализа падения квантовой эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при режимах фото- и электролюминесценции. Показано, что падение эффективности при комнатно ... More
Add   Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Копьев, Виктор Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 5. С. 53-56
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Представлены результаты исследования температурной зависимости квантового выхода светодиодных
Add   Формирование морфологии на поверхности n-GaN методом жидкостного химического травления
Authors: Засухин, Дмитрий Иннокентьевич | Каримбаев, Дамир Джамаллитдинович | Коханенко, Андрей Павлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 10/3. С. 147-149
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Увеличение внешнего квантового выхода является ключевой проблемой изготовления светодиодных структур. Для решения данной проблемы используется метод по созданию сложной морфологии на светоизлучающей п ... More

Creator

Subject

Resource Type

^