Add to Quick Collection
All 4 Results
Showing items 1 - 4 of 4.
Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 5. С. 9-19
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
Исследован механизм пьезоэлектрического рассеяния носителей заряда в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с одной заполненной подзоной размерного квантования. Создана математическая модель, с помощью кото
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 12. С. 14-20
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description:
Представлены результаты исследований характеристик контактов с барьерами Шоттки на псевдоморфной гетероструктуре AlGaAs/InGaAs. Диоды Шоттки с барьером на основе Ti создавались по стандартной pHEMT-те
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 7. С. 15-21
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description:
Электронная температура нагретого электрическим полем двумерного электронного газа в гетероструктурах DA-pHEMT была определена отдельно для каждой подзоны размерного квантования методом осцилляций Шуб
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 9. С. 54-62
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Description:
Подробно описана слаборелятивистская квантово-гидродинамическая модель для заряженных бесспиновых частиц в применении к низкоразмерным системам. Уравнения представлены в приближении самосогласованного
... More