Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета

Add to Quick Collection   All 62 Results

Showing items 1 - 15 of 62.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Russian physics journal. 2023. Vol. 65, № 10. P. 1716-1731
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: The paper, which consists of two parts, considers in detail the method of discrete mobility spectrum analysis (DMSA) proposed by the authors as well as its application to determine the parameters of c ... More
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 267-269
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Source: Sensors and actuators B : Chemical. 2022. Vol. 364. P. 131904 (1-9)
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: Gas sensing properties of Schottky metal-semiconductor-metal (MSM) structures based on α-Ga2O3 epitaxial films with Pt contacts are investigated. The electrical conductivity of the MSM structures expo ... More
Source: Applied nanoscience. 2022. Vol. 12, № 3. P. 395-401
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: Bright–feld and high-resolution transmission electron microscopy were used for nano-scale structural studies of defects induced by implantation of arsenic ions with 190 keV energy and 1014 cm–2 fuence ... More
Source: Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVI Международного симпозиума, 14-17 марта 2022 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород, 2022. Т. 2 : Секция 3. С. 720-721
Type: статьи в сборниках
Date: 2022
Description: В работе приводятся результаты экспериментального исследования NBvN-структур созданных на основе эпитаксиальной пленки твердых растворов теллурида кадмия и ртути (Hg1-xCdxTe) с содержанием CdTe x=0.30 ... More
Source: Infrared physics and technology. 2021. Vol. 114. P. 103665 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Carrier species in arsenic-implanted p– and n–type Hg0.7Cd0.3Te films grown by molecular-beam epitaxy were investigated with the use of the Hall-effect studies and mobility spectrum analysis. The impl ... More
Source: Semiconductors. 2021. Vol. 55, № 3. P. 346-353
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: The effect of ambient humidity on the electrical conductivity of α-Ga2O3 and α-Ga2O3/ε-Ga2O3 is investigated. Polymorphic epitaxial Ga2O3 layers are deposited by the method of chloride vapor-phase epi ... More
Source: International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2021), 25-27 August 2021, Lviv, Ukraine : abstract book. Kiev, 2021. P. 378-
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Description: We report on the results of comparative study of fluence dependence of defect layers in molecular-beam epitaxy-grown epitaxial film of p-Hg1-х CdхTe (х=0.22) implanted with arsenic ions with 190 keV e ... More
Source: Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55, № 3. С. 269-276
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Исследовано влияние влажности окружающей среды на электрическую проводимость структур a-Ga2O3 и a-Ga2O3/"-Ga2O3. Полиморфные эпитаксиальные слои Ga2O3 осаждались методом хлоридной газофазной эпитаксии ... More
Source: Фотоника 2021 : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 4-8 октября 2021 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2021. С. 140
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Description: В работе представлены результаты исследований процессов накопления радиационных донорных дефектов и их отжига в подвергнутых ионной имплантации (ИИ) мышьяком (As) гетероэпитаксиальных пленках CdxHg1-x ... More
Source: 7th International congress on energy fluxes and radiation effects (EFRE-2020 online), September 14–25, 2020, Tomsk, Russia : abstracts. Tomsk, 2020. P. 460
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Source: International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2020), 26-29 August 2020, Lviv, Ukraine : abstract book. Kyiv, 2020. P. 421
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Source: Applied nanoscience. 2020. Vol. 10, № 12. P. 4971-4976
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Optical reflectance and bright-field and high-resolution transmission electron microscopy studies of radiation damage induced
Source: Surface and coatings technology. 2020. Vol. 387. P. 125527 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: In this work the results of the experimental investigation of the influence of the high-frequency nanosecond
Source: Semiconductor science and technology. 2019. Vol. 34, № 3. P. 035009 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: The results from the electrical profiling of an n-on-p junction formed by 190-keV arsenic ion implantation in an indium/vacancy–doped Hg0.78Cd0.22Te film are presented. Mobility spectrum analysis in c ... More

Date

^