Add to Quick Collection
All 16 Results
Showing items 1 - 15 of 16.
Add All Items to Quick Collection
Source: Письма в журнал технической физики. 2020. Т. 46, вып. 17. С. 33-36
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Рассмотрено влияние УФ-излучения и сильного электрического поля на вольт-амперные характеристики
Authors:
Izhnin, Igor I. |
Korotaev, A. G. |
Fitsych, O. I. |
Bonchyk, A. Yu. |
Savytskyy, H. V. |
Mynbaev, K. D. |
Varavin, V. S. |
Dvoretsky, Sergei A. |
Mikhailov, N. N. |
Voytsekhovskiy, Alexander V. |
Yakushev, M. V. |
Jakiela, R.
Source: Infrared physics and technology. 2017. Vol. 81. P. 52-58
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
A defect study was performed on arsenic-implanted Hg1-xCdxTe (x = 0.23–0.30) films with graded-gap surface layers, grown with molecular-beam epitaxy on GaAs and Si substrates and designed for fabricat
... More
Authors:
Izhnin, Igor I. |
Korotaev, A. G. |
Fitsych, Olena I. |
Bonchyk, Oleksandr Yu. |
Savytskyy, Hrygory V. |
Mynbaev, Karim D. |
Varavin, Vasilii S. |
Dvoretsky, Sergei A. |
Yakushev, Maxim V. |
Voytsekhovskiy, Alexander V. |
Jakiela, Rafal |
Trzyna, Malgorzata
Source: EPJ Web of Conferences. 2017. Vol. 133. P. 01001 (1-4)
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Defect structure of arsenic-implanted Hg1-xCdxTe films (x=0.23–0.30) grown with molecular-beam epitaxy on Si substrates was investigated with the use of optical methods and by studying the electrical
... More
Source: Semiconductors. 2015. Vol. 49, № 8. P. 1012-1018
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
The effects of thermal annealing and exposure to oxygen plasma on the electrical and photoelectric properties of metal-TiO2-Si structures are investigated. The TiO2 films are fabricated by the rf magn
... More
Source: Atomic and Molecular Pulsed Lasers : 12 International Conference, September 14-18, 2015, Tomsk, Russia : abstracts. Tomsk, 2015. P. 55-56
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Source: Effect of external influences on the strength and plasticity of metals and alloys : book of the International workshop articles, Russia-China, 15-20 September, 2015 [Barnaul-Belokurikha]. Barnaul, 2015. P. 180-181
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Source: Вестник Томского государственного университета. Химия. 2015. № 2. С. 76-86
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: Полифункциональные химические материалы и технологии : материалы Международной научной конференции, 21-22 мая 2015 г.. Томск, 2015. Т. 1. С. 186-189
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Authors:
Коханенко, Андрей Павлович |
Пчеляков, Олег Петрович |
Лошкарев, Иван Дмитриевич |
Селезнев, Владимир Александрович |
Путято, Михаил Альбертович |
Семягин, Борис Рэмович |
Преображенский, Валерий Владимирович |
Zhicuan, Niu |
Haiqiao, Ni |
Емельянов, Евгений Александрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 1. С. 49-54
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Вестник Кузбасского государственного технического университета. 2013. № 4. С. 100-103
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Semiconductors. 2012. Vol. 46, № 8. P. 1003-1007
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Authors:
Kuroda, Kenta |
Miyahara, H. |
Miyamoto, Kouji |
Okuda, Taichi |
Aliev, Ziya S. |
Amiraslanov, Imamaddin R. |
Shimada, Kenya |
Namatame, Hirofumi |
Taniguchi, Masaki |
Samorokov, D. A. |
Menshchikova, Tatiana V. |
Chulkov, Evgueni V. |
Kimura, Akio |
Okamoto, Katsuhiko |
Babanly, Mahammad B.
Source: Physical Review B. 2012. Vol. 86, № 19. P. 195304-1-195304-5
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Glass and ceramics. 2012. Vol. 69, № 1/2. P. 25-29
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46, вып. 2. С. 278-284
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 105-106
Type: статьи в журналах
Date: 2012