Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
диффузия

Add to Quick Collection   All 3 Results

Showing items 1 - 3 of 3.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Formation of dislocations in the process of impurity diffusion in GaAs
Authors: Khludkov, Stanislav S. | Prudaev, Ilya A. | Tolbanov, Oleg P. | Ivonin, Ivan V.
Source: Russian physics journal. 2022. Vol. 64, № 12. P. 2350-2356
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: A study of the formation of dislocations in the process of impurity diffusion in GaAs has been carried out. The formation of dislocations in GaAs diffusion layers doped with various impurities (elemen ... More
Add   Образование дислокаций в процессе диффузии примесей в GaAs
Authors: Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 12. С. 160-165
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Проведено исследование образования дислокаций в процессе диффузии примесей в GaAs. Изучено образование дислокаций в диффузионных слоях GaAs, легированных разными примесями (элементами II, IV, VI групп ... More
Add   Оценка концентрации хрома в высокоомном GaAs:Cr, создаваемом диффузией
Authors: Будницкий, Давыд Львович | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Яскевич, Тамара Михайловна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 2. С. 100-102
Type: статьи в журналах
Date: 2011
Description: Представлены результаты исследований поглощения ИК-излучения в высокоомном GaAs:Cr. Измерения поглощения проведены в интервале энергий фотонов 0,5–1,5 эВ при комнатной температуре. Исследованы три тип ... More
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
^