Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета

Add to Quick Collection   All 63 Results

Showing items 16 - 30 of 63.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Admittance of metal-insulator-semiconductor devices based on HgCdTe nBn structures
Authors: Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Sidorov, Georgiy Yu. | Yakushev, Maxim V. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: Semiconductor science and technology. 2020. Vol. 35, № 5. P. 055026 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Metal-insulator-semiconductor (MIS) structures were fabricated by depositing an Al2O3 dielectric on
Add   Admittance studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Izhnin, Igor I. | Mynbaev, Karim D. | Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Varavin, Vasilii S. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Yakushev, Maxim V. | Korotaev, A. G. | Sidorov, Georgiy Yu.
Source: Surface and coatings technology. 2020. Vol. 392. P. 125760 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Metal–insulator–semiconductor (MIS) structures based on HgCdTe were fabricated after various stages of pn
Add   Electrical properties of n‑HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum wells
Authors: Syvorotka, I. I. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Izhnin, Igor I.
Source: Applied nanoscience. 2020. Vol. 10, № 8. P. 2489-2494
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Hg1−xCdxTe grown by molecular beam epitaxy including HgTe single quantum well (SQW) with thickness of 6.5 nm were
Add   Investigation of the effect of thermal annealing on the electrical properties of the near-surface layer of MBE n-HgCdTe using MIS techniques
Authors: Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Varavin, Vasilii S. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Sidorov, Georgiy Yu. | Yakushev, Maxim V. | Marin, Denis V. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: Journal of electronic materials. 2020. Vol. 49, № 5. P. 3202-3208
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Heteroepitaxial n-Hg0.78Cd0.22Te films with near-surface graded-gap layers
Add   Адмиттанс барьерных структур на основе теллурида кадмия – ртути
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 3. С. 76-87
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Представлены результаты исследований адмиттанса униполярных барьерных структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из GaAs (013). С использованием па ... More
Add   Адмиттанс тестовых МДП-приборов на основе nBn-структур из МЛЭ HgCdTe
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич
Source: Школа молодых ученых "Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем", 14-16 декабря, Новосибирск, Интернет-конференция Zoom: 886 6967 7489 : тезисы докладов. Новосибирск, 2020. С. 17-18
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Add   Темновой ток и адмиттанс униполярных барьерных систем на основе теллурида кадмия и ртути
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич
Source: Сборник трудов XII Международной конференции "Фундаментальные проблемы оптики – 2020" Санкт-Петербург, 19-23 октября 2020 год. СПб., 2020. С. 276-278
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Description: Изготовлены nBn-структуры на основе МЛЭ HgCdTe для детектирования в спектральном диапазоне 3–5 мкм. Представлены результаты исследований темнового тока и адмиттанса nBn-структур, а также адмиттанса те ... More
Add   Темновые токи и адмиттанс униполярных барьерных систем на основе МЛЭ HgCdTe
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич
Source: Школа молодых ученых "Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем", 14-16 декабря, Новосибирск, Интернет-конференция Zoom: 886 6967 7489 : тезисы докладов. Новосибирск, 2020. С. 8-9
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Add   Электрофизические свойства МДП-структур на основе пентацена в широком диапазоне температур
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Копылова, Татьяна Николаевна | Дегтяренко, Константин Михайлович
Source: Школа молодых ученых "Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем", 14-16 декабря, Новосибирск, Интернет-конференция Zoom: 886 6967 7489 : тезисы докладов. Новосибирск, 2020. С. 19-20
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Add   Admittance dependences of the mid-wave infrared barrier structure based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy
Authors: Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Sidorov, Georgiy Yu. | Yakushev, Maxim V. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: Materials research express. 2019. Vol. 6, № 11. P. 116411 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: The admittance of nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy (MBE) on GaAs (013) substrates was studied. The measurements were performed in the temperature range of 10–310 K at the ... More
Add   Admittance of organic LED structures with an emission YAK-203 layer
Authors: Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Kopylova, Tatyana N. | Degtyarenko, Konstantin M. | Kokhanenko, Andrey P. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: Russian physics journal. 2019. Vol. 62, № 2. P. 306-313
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: The current-voltage characteristics and admittance of multilayer structures for organic LEDs based on the PEDOT:PSS/NPD/YAK-203/BCP system have been experimentally investigated in a wide range of the ... More
Add   Electrophysical characteristics of the pentacene-based MIS structures with a SiO2 insulator
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Kopylova, Tatyana N. | Degtyarenko, Konstantin M. | Chernikov, E. V. | Kalygina, V. M. | Novikov, Vadim A.
Source: Russian physics journal. 2019. Vol. 62, № 1. P. 90-99
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: In a wide range of frequencies and temperatures, the admittance of MIS structures based on pentacene organic films, formed by thermal evaporation in vacuum on SiO2 and SiO2/Ga2O3 substrates, was exper ... More
Add   Peculiarities of modeling the frequency dependences of admittance of MIS structure based on organic P3HT film with an insulator Al2O3 layer
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M.
Source: Russian physics journal. 2019. Vol. 61, № 11. P. 2126-2134
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: For the depletion and accumulation modes, equivalent circuits of MIS structure based on an organic P3HT thin film with an Al2O3 insulator are proposed. The frequency dependences of the capacitance and ... More
Add   Адмиттанс многослойных органо-неорганических систем на основе пентацена в широком диапазоне температур
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Копылова, Татьяна Николаевна | Новиков, Вадим Александрович | Дегтяренко, Константин Михайлович | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 366-367
Type: статьи в сборниках
Date: 2019
Add   Адмиттанс органических светодиодных структур с эмиссионным слоем ЯК-203
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Копылова, Татьяна Николаевна | Дегтяренко, Константин Михайлович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 2. С. 107-113
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: В широком диапазоне условий измерения экспериментально исследованы вольт-амперные характеристики и адмиттанс многослойных структур для органических светодиодов на основе системы PEDOT:PSS/NPD/ЯК-203/B ... More

Creator

Date

Subject

Resource Type

^