Add to Quick Collection
All 49 Results
Showing items 1 - 15 of 49.
Add All Items to Quick Collection
Source: XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференции. М., 2018. Т. 2 : Стендовые доклады. С. 398-401
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Source: Сборник трудов X Международной конференции "Фундаментальные проблемы оптики – 2018", Санкт-Петербург, 15-19 октября 2018. СПб., 2018. С. 389-390
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Authors:
Сыворотка, Игорь Игоревич |
Swiatek, Zbigniew |
Войцеховский, Александр Васильевич |
Коротаев, Александр Григорьевич |
Мынбаев, Карим Джафарович |
Варавин, Василий Семенович |
Дворецкий, Сергей Алексеевич |
Михайлов, Михайлов, Николай Николаевич (физик) |
Ремесник, Владимир Григорьевич |
Якушев, Максим Витальевич |
Ижнин, Игорь Иванович
Source: XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференции. М., 2018. Т. 1 : Пленарные и устные доклады. С. 241-244
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 6. С. 8-15
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Изготовлены три вида nBn -структур на основе теллурида кадмия - ртути, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В качестве барьерных слоев в nBn -структурах использовался Hg1-x Cd x Te при x
... More
Source: Письма в журнал технической физики. 2021. Т. 47, № 4. С. 33-35
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
Пленки n-Hg0.775Cd0.225Te с приповерхностными широкозонными слоями выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из Si (013). Для измерений адмиттанса структуры металл-диэлектрик-пол
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 3. С. 76-87
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Представлены результаты исследований адмиттанса униполярных барьерных структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из GaAs (013). С использованием па
... More
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2021 : 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2021. С. 240-241
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 5. С. 3-8
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
Изготовлены два вида длинноволновых nBn-структур на основе теллурида кадмия и ртути, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs(013). Для каждого вида приборов боковые стен
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 202-205
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Использована специальная методика измерений электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe, позволяющая исключить влияние гистерезисных явлений на результаты измерения первой произв
... More
Source: XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференции. М., 2018. Т. 2 : Стендовые доклады. С. 401-405
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 257-261
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
В работе приводятся результаты исследований полной проводимости МДП-структур на основе гетероэпи-таксиального МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с диэлектрическими покрытиями SiO2-Si3N4 и Al2O3 в диапазоне часто
... More
Authors:
Ижнин, Игорь Иванович |
Коротаев, Александр Григорьевич |
Мынбаев, Карим Джафарович |
Варавин, Василий Семенович |
Дворецкий, Сергей Алексеевич |
Михайлов, Николай Николаевич (физик) |
Якушев, Максим Витальевич |
Бончик, Александр Юрьевич |
Войцеховский, Александр Васильевич |
Фицич, Елена Ивановна |
Савицкий, Григорий Владимирович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 222-226
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 2. С. 40-45
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description:
Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe (x = 0,22–0,23 и 0,32–0,36) с выращенным in situ CdTe в качестве пассивирующего покрытия. Опре
... More
Authors:
Войцеховский, Александр Васильевич |
Несмелов, Сергей Николаевич |
Дзядух, Станислав Михайлович |
Горн, Дмитрий Игоревич |
Михайлов, Николай Николаевич (физик) |
Дворецкий, Сергей Алексеевич |
Меньшиков, Р. В. |
Сидоров, Георгий Юрьевич |
Ужаков, Иван Николаевич |
Якушев, Максим Витальевич
Source: Нанофизика и наноэлектроника : труды XXV Международного симпозиума, 9-12 марта 2021 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород, 2021. Т. 2 : Секция 3. С. 603-604
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Description:
Изготовлены многослойные униполярные гетероэпитаксиальные структуры на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs(013). Результаты экспериментальных исследов
... More
Source: Прикладная физика. 2020. № 1. С. 25-31
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Изучены темновые токи в средневолновых nBn-структурах на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs (013). Пассивация поверхности боковых стенок мезаструктур
... More
