Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенным in situ CdTe в качестве диэлектрика

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенным IN SITU CdTe в качестве диэлектрика	343 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

#теллурид кадмия ртути

#диэлектрики

#полупроводники

#варизонные слои

#вольт-фарадные характеристики

#МДП-структуры

Title: Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенным in situ CdTe в качестве диэлектрика
Creator: Войцеховский, Александр Васильевич
|
Несмелов, Сергей Николаевич
|
Дзядух, Станислав Михайлович
|
Варавин, Василий Семенович
|
Дворецкий, Сергей Алексеевич
|
Михайлов, Николай Николаевич (физик)
|
Сидоров, Юрий Георгиевич
|
Васильев, Владимир Васильевич (физик)
|
Якушев, Максим Витальевич
Date: 2010
Description: Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe (x = 0,22–0,23 и 0,32–0,36) с выращенным in situ CdTe в качестве пассивирующего покрытия. Определены средние плотности поверхностных состояний, а также плотности подвижного и фиксированного зарядов для систем HgCdTe–CdTe, HgCdTe–CdTe–SiO2–Si3N4, HgCdTe–CdTe–ZnTe. Показано, что сформированный in situ CdTe образует достаточно качественную границу раздела, а использование дополнительных слоев SiO2–Si3N4 и ZnTe предоставляет возможности управления электрической прочностью и зарядами в диэлектрике.