Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te

doi:10.21883/PJTF.2021.04.50643.18605

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te	283 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.21883/PJTF.2021.04.50643.18605

#варизонные пленки

#молекулярно-лучевая эпитаксия

#ионная имплантация

#МДП-структуры

#адмиттанс

Title: Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te
Creator: Войцеховский, Александр Васильевич
|
Несмелов, Сергей Николаевич
|
Дзядух, Станислав Михайлович
|
Варавин, Василий Семенович
|
Дворецкий, Сергей Алексеевич
|
Михайлов, Николай Николаевич (физик)
|
Сидоров, Георгий Юрьевич
|
Якушев, Максим Витальевич
|
Марин, Денис Викторович
Date: 2021
DOI: 10.21883/PJTF.2021.04.50643.18605
Description: Пленки n-Hg0.775Cd0.225Te с приповерхностными широкозонными слоями выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из Si (013). Для измерений адмиттанса структуры металл-диэлектрик-полупроводник изготовлены на основе исходной пленки HgCdTe, пленки после имплантации, а также пленки после имплантации и отжига. При помощи методик, учитывающих наличие варизонных слоев и медленных состояний, определены основные параметры приповерхностных слоев пленок HgCdTe после технологических процедур, применяемых при создании фотодиодов.

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в журналах
Source: Письма в журнал технической физики. 2021. Т. 47, № 4. С. 33-35
Language: rus

Created: 01-06-2022

9013 Visitors

8978 Hits

173 Downloads

Радиофизический факультет Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te